HM-H200E1-8CP1-TG30L 是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的高密度、高性能的DRAM(动态随机存取存储器)模块,属于高容量服务器内存模块的一种。该型号内存模块专为高性能计算、服务器和工作站等应用设计,具备较高的数据传输速率和稳定性。该模块采用了ECC(错误校正码)技术,可有效检测并纠正数据传输中的单比特错误,提高系统的可靠性和稳定性。
类型:DRAM ECC Registered DDR4 SDRAM
容量:32GB
速度:3200MT/s
电压:1.2V
数据宽度:72位(ECC)
行地址:16位
列地址:10位
Bank数量:16(支持Burst Mode)
封装形式:RDIMM(Registered DIMM)
工作温度:0°C 至 +85°C
认证标准:RoHS、JEDEC标准
HM-H200E1-8CP1-TG30L 是一款基于DDR4技术的ECC Registered DIMM内存模块,具有出色的稳定性和高性能。其采用的ECC(Error-Correcting Code)技术能够自动检测并纠正单比特错误,从而有效防止数据损坏,提高服务器和工作站系统的稳定性。此外,该模块内置寄存器芯片(Registered DIMM),可降低内存控制器的负载,适用于高容量内存配置的服务器平台。
该模块的运行频率为3200MT/s,支持DDR4 SDRAM的低电压标准(1.2V),不仅提升了数据传输速率,同时降低了功耗,提高了能效比。其16位行地址和10位列地址结构,配合16个Bank,使得内存访问更加高效,适合处理大量并发任务。
在物理设计方面,该模块采用标准的288-pin RDIMM封装形式,兼容主流服务器主板。工作温度范围为0°C至85°C,适用于各种严苛的运行环境。模块通过了JEDEC和RoHS认证,符合环保和工业标准,适合在企业级服务器中广泛应用。
HM-H200E1-8CP1-TG30L 主要应用于企业级服务器、数据中心、高性能计算系统(HPC)、虚拟化平台、大型数据库服务器以及云计算基础设施。由于其具备高容量、高速度、ECC纠错能力和低功耗设计,该内存模块特别适合需要长时间稳定运行和高可靠性的系统环境。例如,在虚拟化服务器中,该模块能够有效支持多个虚拟机的同时运行,保障系统响应速度和数据完整性;在数据库服务器中,它能够提供高速的数据读写能力,确保关键业务数据的实时处理与存储。
此外,该模块也适用于高端工作站和图形渲染服务器,满足大型软件运行、3D建模、视频编辑等高性能需求。在云计算和AI训练平台中,HM-H200E1-8CP1-TG30L 可以提供足够的内存带宽,提升数据处理效率。
MTA18ASF4G72PZ-3G2B1, CT32G4DFS320B.C16, HMA44GB7AFR4N-UH