您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > HM-H200E1-8CP1-TG30L

HM-H200E1-8CP1-TG30L 发布时间 时间:2025/8/29 21:04:34 查看 阅读:9

HM-H200E1-8CP1-TG30L 是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的高密度、高性能的DRAM(动态随机存取存储器)模块,属于高容量服务器内存模块的一种。该型号内存模块专为高性能计算、服务器和工作站等应用设计,具备较高的数据传输速率和稳定性。该模块采用了ECC(错误校正码)技术,可有效检测并纠正数据传输中的单比特错误,提高系统的可靠性和稳定性。

参数

类型:DRAM ECC Registered DDR4 SDRAM
  容量:32GB
  速度:3200MT/s
  电压:1.2V
  数据宽度:72位(ECC)
  行地址:16位
  列地址:10位
  Bank数量:16(支持Burst Mode)
  封装形式:RDIMM(Registered DIMM)
  工作温度:0°C 至 +85°C
  认证标准:RoHS、JEDEC标准

特性

HM-H200E1-8CP1-TG30L 是一款基于DDR4技术的ECC Registered DIMM内存模块,具有出色的稳定性和高性能。其采用的ECC(Error-Correcting Code)技术能够自动检测并纠正单比特错误,从而有效防止数据损坏,提高服务器和工作站系统的稳定性。此外,该模块内置寄存器芯片(Registered DIMM),可降低内存控制器的负载,适用于高容量内存配置的服务器平台。
  该模块的运行频率为3200MT/s,支持DDR4 SDRAM的低电压标准(1.2V),不仅提升了数据传输速率,同时降低了功耗,提高了能效比。其16位行地址和10位列地址结构,配合16个Bank,使得内存访问更加高效,适合处理大量并发任务。
  在物理设计方面,该模块采用标准的288-pin RDIMM封装形式,兼容主流服务器主板。工作温度范围为0°C至85°C,适用于各种严苛的运行环境。模块通过了JEDEC和RoHS认证,符合环保和工业标准,适合在企业级服务器中广泛应用。

应用

HM-H200E1-8CP1-TG30L 主要应用于企业级服务器、数据中心、高性能计算系统(HPC)、虚拟化平台、大型数据库服务器以及云计算基础设施。由于其具备高容量、高速度、ECC纠错能力和低功耗设计,该内存模块特别适合需要长时间稳定运行和高可靠性的系统环境。例如,在虚拟化服务器中,该模块能够有效支持多个虚拟机的同时运行,保障系统响应速度和数据完整性;在数据库服务器中,它能够提供高速的数据读写能力,确保关键业务数据的实时处理与存储。
  此外,该模块也适用于高端工作站和图形渲染服务器,满足大型软件运行、3D建模、视频编辑等高性能需求。在云计算和AI训练平台中,HM-H200E1-8CP1-TG30L 可以提供足够的内存带宽,提升数据处理效率。

替代型号

MTA18ASF4G72PZ-3G2B1, CT32G4DFS320B.C16, HMA44GB7AFR4N-UH

HM-H200E1-8CP1-TG30L推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

HM-H200E1-8CP1-TG30L参数

  • 数据列表HM Series (Type E)
  • 标准包装180
  • 类别连接器,互连式
  • 家庭背板 - 硬公制,标准
  • 系列MetPak™ HM
  • 连接器类型接头,公引脚
  • 连接器类型E 25
  • 位置数200
  • 加载位置的数目全部
  • 间距0.079"(2.00mm)
  • 行数8
  • 安装类型通孔
  • 端子压配式
  • 连接器用途-
  • 触点表面涂层
  • 触点涂层厚度30µin(0.76µm)
  • 包装散装
  • 额定电流1A
  • 额定电压-
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特点-
  • 配套产品HM-S200E1-8AP1-TG30L-ND - CONN SOCKET HM 200POS 8ROW R/A
  • 其它名称0005111557803880001252701