您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > HUF76419D3S

HUF76419D3S 发布时间 时间:2025/7/10 12:18:32 查看 阅读:12

HUF76419D3S是一款高度集成的MOSFET功率开关器件,广泛应用于汽车电子领域。该器件采用先进的制程技术制造,具有极低的导通电阻和高耐压能力,适用于负载开关、DC-DC转换器以及电机驱动等应用。它能够在高温环境下保持稳定性能,同时提供过流保护和热关断功能以确保系统安全。
  该芯片的主要特点是小型化封装和卓越的电气特性,使其成为现代汽车电子设计中的理想选择。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏电流:28A
  导通电阻:3.5mΩ
  栅极电荷:28nC
  工作温度范围:-40°C 至 175°C
  封装类型:TO-263-3
  结温:175°C

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可降低功耗并提升效率。
  2. 高耐压能力,适合多种车载电源管理场景。
  3. 内置过流保护和热关断功能,有效防止异常情况下的损坏。
  4. 工作温度范围宽广,适应极端环境需求。
  5. 小型化封装设计,节省PCB空间。
  6. 符合AEC-Q101标准,确保汽车级可靠性。
  7. 支持快速开关,适合高频应用环境。

应用

1. 汽车电子系统中的负载开关控制。
  2. DC-DC转换器及降压电路中的功率开关。
  3. 车载电机驱动电路。
  4. 各类保护电路,如短路保护和过流保护。
  5. 照明系统中的LED驱动电路。
  6. 电池管理系统(BMS)中的关键功率元件。
  7. 其他需要高性能功率开关的应用场景。

替代型号

HUF76419D3T, HUF76419D3L

HUF76419D3S推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

HUF76419D3S资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

HUF76419D3S参数

  • 制造商Fairchild Semiconductor
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压60 V
  • 闸/源击穿电压+/- 16 V
  • 漏极连续电流20 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.037 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TO-252AA
  • 封装Rail
  • 下降时间50 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散75 W
  • 上升时间124 ns, 35 ns
  • 典型关闭延迟时间28 ns, 50 ns