电容值：47μF
　　额定电压：10V DC
　　电容容差：±20%
　　温度特性：X5R / X7R（典型）
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C（部分条件下可达+125°C）
　　封装尺寸：7343（2.2mm x 1.7mm）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　等效串联电阻（ESR）：典型值低于10mΩ（频率相关）
　　纹波电流能力：依据具体应用条件而定
　　介质材料：陶瓷/导电聚合物复合系统
　　寿命可靠性：符合JEDEC标准，高温高湿负载测试通过

UMA1A470MDD 具备出色的电性能稳定性与高容量密度，是传统铝电解电容和钽电容的理想替代品之一。其核心优势在于采用了先进的导电聚合物与多层陶瓷共烧技术，实现了在小尺寸下达到47μF的大容量输出，同时维持极低的等效串联电阻（ESR），这显著降低了在高频开关环境下产生的热量积聚，提高了整体电源系统的效率和可靠性。这种低ESR特性对于现代高速数字电路至关重要，尤其是在处理器核心供电网络中，能够有效抑制电压波动，提升瞬态响应能力。此外，该器件在不同电压偏置下的电容衰减表现优于普通Class II MLCC，意味着即使在接近额定电压运行时仍能保持较高比例的有效电容值。
　　该电容具备良好的机械强度和热循环耐受性，得益于其优化的内部电极结构和端子设计，可有效防止因PCB弯曲或热胀冷缩引起的裂纹风险。其外部电极通常采用镍阻挡层加锡覆盖的三层结构（Ni/Sn），确保良好的焊接可靠性和长期环境耐久性。在噪声敏感的应用场景中，如音频放大器电源滤波或射频模块供电路径，UMA1A470MDD 能够提供干净的直流电压，减少电磁干扰（EMI）传播。另外，相较于传统的电解电容，它没有液体电解质，因此不存在干涸失效机制，寿命更长，更适合高可靠性需求的产品设计。
　　该器件还表现出优异的频率响应特性，在数十MHz范围内仍能保持有效的去耦能力，远超一般电解电容的表现。这对于高速逻辑电路中的局部能量存储非常关键。尽管其成本高于标准MLCC，但综合性能优势使其在高端消费类电子和工业控制领域获得了广泛应用。需要注意的是，由于其属于电压敏感型电介质材料，设计时应避免长时间施加满额定电压，并考虑温度、偏压和老化等因素对实际电容值的影响，建议留有一定设计余量以保证系统长期稳定性。

UMA1A470MDD 主要应用于需要高容量、低ESR 和小型化封装的电源管理电路中。常见使用场景包括移动通信设备中的基带处理器和射频模块的电源去耦，例如智能手机和平板电脑的主板设计。在这些设备中，它常被部署于DC-DC降压变换器的输入与输出端，用于平滑电压纹波并增强动态负载响应能力。此外，在便携式消费电子产品如数码相机、MP3播放器和可穿戴设备中，该电容也广泛用于电池电源路径的滤波，以提升系统能效和信号完整性。
　　在计算机及周边设备领域，该器件可用于笔记本电脑主板、SSD固态硬盘的电源稳压电路中，特别是在GPU或内存模块附近作为局部储能元件。工业控制系统中，诸如PLC控制器、传感器信号调理模块和嵌入式工控机，也会采用此类高性能电容来提高抗干扰能力和运行稳定性。汽车电子方面，虽然该型号并非AEC-Q200认证器件，但在非动力域的车载信息娱乐系统（IVI）或辅助显示模块中仍有应用潜力，前提是满足相应的环境应力要求。
　　此外，在医疗电子设备、测试测量仪器和便携式电源管理系统中，UMA1A470MDD 凭借其高可靠性和稳定的温度特性，成为设计师优选的去耦与滤波元件。尤其在需要长时间连续运行且维护困难的场合，其长寿命和无电解液泄漏风险的优势显得尤为重要。总体而言，任何追求小型化、高效能和高稳定性的电子系统都可以考虑将此型号纳入电源完整性设计方案之中。

GRM32DR71A476KE01L
　　CLT5A476MC-L
　　EMK325BJ476MM-T