MDN500C20 时间：2025/9/7 16:15:36 阅读：28

MDN500C20是一款由Microsemi（现为Microchip Technology）生产的高电压、高电流MOSFET模块，专为需要高可靠性和高性能的工业和电源应用设计。该模块采用双功率MOSFET结构，适用于高频开关应用，具有低导通电阻和快速开关特性，能够有效降低功率损耗并提高系统效率。

参数

类型：功率MOSFET模块
　　配置：双N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：200V
　　连续漏极电流（Id）：50A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.12Ω
　　栅极电荷（Qg）：典型值为80nC
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：双列直插式（DIP）陶瓷封装
　　安装方式：通孔安装

特性

MDN500C20具有多项先进特性，适用于各种高功率应用场景。其核心特性包括低导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流条件下能够显著降低导通损耗，提高能效。模块内部集成了两个N沟道MOSFET，支持双路独立控制，适用于桥式拓扑结构设计。
　　此外，该器件具备优异的热稳定性，采用高导热陶瓷封装，有助于快速散热，确保在高温环境下稳定运行。MDN500C20还具有良好的短路耐受能力，能够在瞬态过载情况下提供更高的可靠性。
　　其快速开关特性使得该模块适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和工业自动化设备等应用。此外，该模块符合RoHS环保标准，适用于对环境要求较高的应用场景。

应用

MDN500C20广泛应用于需要高功率密度和高可靠性的电源系统中。常见的应用包括高频开关电源、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、工业自动化控制系统、逆变器以及电动车充电设备等。其高耐压和高电流能力使其特别适合在高压直流母线系统中使用。此外，由于其良好的热管理和高集成度，也常用于需要紧凑设计的功率模块系统中。