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MDN500C20 发布时间 时间:2025/9/7 16:15:36 查看 阅读:5

MDN500C20是一款由Microsemi(现为Microchip Technology)生产的高电压、高电流MOSFET模块,专为需要高可靠性和高性能的工业和电源应用设计。该模块采用双功率MOSFET结构,适用于高频开关应用,具有低导通电阻和快速开关特性,能够有效降低功率损耗并提高系统效率。

参数

类型:功率MOSFET模块
  配置:双N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):200V
  连续漏极电流(Id):50A
  导通电阻(Rds(on)):典型值为0.12Ω
  栅极电荷(Qg):典型值为80nC
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:双列直插式(DIP)陶瓷封装
  安装方式:通孔安装

特性

MDN500C20具有多项先进特性,适用于各种高功率应用场景。其核心特性包括低导通电阻(Rds(on)),这使得在高电流条件下能够显著降低导通损耗,提高能效。模块内部集成了两个N沟道MOSFET,支持双路独立控制,适用于桥式拓扑结构设计。
  此外,该器件具备优异的热稳定性,采用高导热陶瓷封装,有助于快速散热,确保在高温环境下稳定运行。MDN500C20还具有良好的短路耐受能力,能够在瞬态过载情况下提供更高的可靠性。
  其快速开关特性使得该模块适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和工业自动化设备等应用。此外,该模块符合RoHS环保标准,适用于对环境要求较高的应用场景。

应用

MDN500C20广泛应用于需要高功率密度和高可靠性的电源系统中。常见的应用包括高频开关电源、DC-DC转换器、不间断电源(UPS)、电机驱动器、工业自动化控制系统、逆变器以及电动车充电设备等。其高耐压和高电流能力使其特别适合在高压直流母线系统中使用。此外,由于其良好的热管理和高集成度,也常用于需要紧凑设计的功率模块系统中。

替代型号

IXFN50N20T, IXYS IXFN系列类似型号,STMicroelectronics STP55NM20N, Infineon IPW50N20N

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