类型：N沟道
　　最大漏极电流（Id）：50A
　　最大漏-源电压（Vds）：100V
　　最大栅-源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.022Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装类型：TO-262（表面贴装）或TO-220（通孔）

FQA50N10 MOSFET具有多项优异的电气和热性能。其低导通电阻（Rds(on)）显著减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。
　　此外，该器件的最大漏极电流可达50A，适用于高电流应用，如电源转换器和电动机控制电路。
　　FQA50N10的100V漏-源击穿电压使其适用于中高功率系统，如DC-DC转换器、不间断电源（UPS）和电池管理系统。　　采用TO-262或TO-220封装，FQA50N10具备良好的散热性能，适用于高功率密度的设计环境。
　　此外，其热阻（Rth）较低，有助于在高温环境下保持稳定运行，提高设备的可靠性和使用寿命。
　　该MOSFET的快速开关特性也使其适用于高频开关应用，从而减小外围元件的尺寸并提升系统响应速度。

FQA50N10广泛应用于多个领域，包括电源管理、DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、不间断电源（UPS）、电池充电器、电机驱动器、逆变器以及工业自动化控制系统。
　　在电源管理方面，FQA50N10常用于同步整流器、负载开关和功率因数校正（PFC）电路中，以提高能效并减少热量产生。
　　在电机控制和电动车应用中，它用于H桥驱动器和PWM（脉宽调制）控制器，以实现高效的电机调速和方向控制。
　　此外，FQA50N10还被广泛用于太阳能逆变器和储能系统中，作为关键的开关元件，支持高效的能量转换和管理系统。
　　由于其高可靠性和耐高温性能，该MOSFET也常用于汽车电子、LED照明驱动和工业自动化设备中。

IRF540N, FDP50N10, STP55NF06, FQA60N10