时间：2025/8/5 22:31:50
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MDMA25P1200TG是一款由MagnAmp Technologies制造的功率MOSFET模块，专为高效率和高性能应用设计。该模块采用先进的封装技术和半导体设计，适用于需要高功率密度和低损耗的应用场景。其主要功能是作为开关器件用于电源转换和电机控制等领域。
类型：功率MOSFET模块
漏源电压(Vds)：1200V
连续漏极电流(Id)：25A
导通电阻(Rds(on))：典型值为45mΩ
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C至175°C
技术：硅基
极数：3
功率耗散：具体数值需参考数据手册
栅极电荷(Qg)：典型值为100nC
MDMA25P1200TG具备低导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高整体效率。其高耐压能力达到1200V，使其适用于高电压应用场景。该模块还具有较高的电流处理能力，能够在高负载条件下稳定运行。此外，MDMA25P1200TG采用先进的封装技术，提供了良好的热管理和机械稳定性，有助于延长器件寿命和提高可靠性。
在动态性能方面，该器件具有较低的栅极电荷(Qg)，减少了开关损耗，并允许更快的开关速度。其宽工作温度范围(-55°C至175°C)使其适用于各种环境条件，包括极端温度下的工业和汽车应用。此外，该模块的高抗雪崩能力增强了其在瞬态过压条件下的鲁棒性。
MDMA25P1200TG广泛应用于工业电源、电动车辆的逆变器和充电系统、太阳能逆变器以及电机驱动器等高功率电子设备中。其高效率和高可靠性使其成为需要高功率密度和低损耗应用的理想选择。
IXFN25N120P
