ESDBM12VD3 时间：2025/8/16 22:41:35 阅读：4

ESDBM12VD3 是一款由安森美半导体（onsemi）推出的单向瞬态电压抑制二极管（TVS），主要用于保护敏感电子电路免受静电放电（ESD）、浪涌和其他瞬态电压事件的损害。该器件具有快速响应时间和高浪涌吸收能力，适用于各种需要高可靠性和高稳定性的应用场景。

参数

类型：TVS二极管（瞬态电压抑制二极管）
　　极性：单向
　　工作电压：12V
　　最大反向工作电压（VRWM）：12V
　　击穿电压（VBR）：13.3V（最小值）至14.8V（最大值）
　　钳位电压（VC）：23.2V（在IEC 61000-4-2测试条件下）
　　最大峰值脉冲电流（IPP）：20A（8/20μs波形）
　　响应时间：1ps（典型值）
　　封装形式：SOD-323
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

特性

ESDBM12VD3 采用先进的硅雪崩二极管技术，能够在极短的时间内响应瞬态电压冲击，从而有效保护后级电路不受损坏。该器件的响应时间极快（皮秒级），可以在ESD事件发生时迅速导通，将高能电流引导到地，防止其进入敏感的电子组件。此外，该TVS二极管具有低漏电流特性，在正常工作条件下几乎不对系统功耗造成影响。其封装形式为SOD-323，适用于表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和节省PCB空间。
　　该器件的钳位电压较低，能够在高能量冲击下保持相对稳定的电压水平，从而保护下游电路。其最大峰值脉冲电流可达20A，足以应对常见的ESD事件和小型浪涌冲击。此外，该TVS二极管具有优异的热稳定性和可靠性，能够在极端温度条件下保持稳定的性能。
　　由于其单向极性设计，ESDBM12VD3 特别适合用于直流电源线或信号线的保护应用。该器件广泛应用于便携式电子设备、通信设备、工业控制系统、汽车电子系统等领域，作为关键的电路保护元件。

应用

ESDBM12VD3 主要用于以下应用场景：USB接口保护、HDMI接口保护、电源管理电路、便携式设备（如智能手机、平板电脑）、通信模块（如Wi-Fi、蓝牙、以太网）、汽车电子系统（如CAN总线、传感器接口）以及工业控制系统中的信号和电源线路保护。该器件适用于需要防止静电放电和瞬态电压干扰的各类电子设备。