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ER2E 发布时间 时间:2025/8/15 6:30:10 查看 阅读:24

ER2E是一种常见的电子元器件芯片,主要用于特定的电路控制和信号处理功能。它在工业自动化、通信设备和消费类电子产品中都有广泛应用。该芯片集成了多种功能模块,具有高性能和稳定性的特点。

参数

类型:集成电路
  封装形式:DIP/SMD
  工作电压:5V/3.3V(根据具体型号)
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  最大工作频率:100MHz
  I/O引脚数量:16
  内置存储器:EEPROM 2KB

特性

ER2E芯片的主要特性包括其高度集成的设计,能够有效减少外围元件的数量,从而提高系统的可靠性和降低整体成本。该芯片支持多种通信协议,例如I2C和SPI,使其能够方便地与其他设备进行数据交换。ER2E还具备低功耗模式,适用于对功耗要求较高的应用场景。此外,其强大的抗干扰能力确保了在复杂电磁环境中仍能稳定运行。芯片内部的EEPROM存储器可用于存储关键数据或配置信息,支持断电后数据的长期保存。

应用

ER2E芯片常用于工业控制系统中作为主控芯片或辅助控制器,负责处理传感器数据、控制执行机构以及与其他系统模块通信。在通信设备中,ER2E可以用于实现信号的转换和传输。消费类电子产品如智能家居设备和可穿戴设备也常采用ER2E,以满足对性能和功耗的双重需求。此外,它还被应用于测试仪器和数据采集系统中,以提供精确的数据处理能力。

替代型号

ER2E-S, ER2E-DIP, ER2E-SMD

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ER2E参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格48,000 : ¥0.52708卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 技术标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)300 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)2A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.25 V @ 2 A
  • 速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)35 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏5 μA @ 300 V
  • 不同?Vr、F 时电容25pF @ 4V,1MHz
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳DO-214AA,SMB
  • 供应商器件封装SMB(DO-214AA)
  • 工作温度 - 结-65°C ~ 150°C