时间：2025/6/9 17:53:26
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GA1210A821KBCAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率转换的应用场景。该器件采用先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，能够显著降低功耗并提升系统效率。
其封装形式紧凑，适合高密度电路设计，并且具有良好的热性能，确保在高负载条件下的稳定运行。
型号：GA1210A821KBCAT31G
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：120V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：16A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ
总栅极电荷(Qg)：39nC
输入电容(Ciss)：1740pF
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻(Rds(on))，可有效减少导通损耗，提高整体效率。
2. 快速开关速度，降低了开关损耗，非常适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的耐用性。
4. 紧凑型封装设计，节省PCB空间。
5. 具备优异的热稳定性，即使在高温环境下也能保持稳定的性能。
6. 符合RoHS标准，环保且支持无铅焊接工艺。
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC转换器的核心功率开关。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 电池保护及负载切换电路。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 汽车电子系统中的大电流开关应用。
7. 各类消费类电子产品中的高效功率转换解决方案。
IRFZ44N, FDP5800, AO3400
