MDFN10A054U是一款高性能的场效应晶体管(MOSFET),采用小型化封装设计,适用于高效率功率转换和开关应用。该器件通常用于电源管理、电机驱动以及负载开关等场景。其卓越的导通电阻特性和快速开关性能使其成为需要高效能和低损耗应用的理想选择。
该MOSFET属于增强型NMOS类型,支持较高的连续漏极电流,并具备出色的热稳定性和耐用性。它能够适应恶劣的工作环境,同时提供可靠的性能表现。
型号:MDFN10A054U
封装:DFN5*6-8L
工作电压(Vds):30V
栅极驱动电压(Vgs):±20V
最大漏极电流(Id):12A
导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
总功耗(Ptot):3.6W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装尺寸:5mm x 6mm
MDFN10A054U具有非常低的导通电阻,有助于降低导通损耗并提高整体效率。此外,它的快速开关速度可以减少开关损耗,从而进一步提升系统性能。
该器件还具有出色的热稳定性,能够在高温环境下保持稳定的电气特性。另外,其强大的抗静电能力(ESD保护)和坚固的设计使得它在各种工业应用中表现出色。
其他主要特性包括:
- 高电流承载能力
- 小型化封装节省PCB空间
- 极低的栅极电荷,适合高频应用
- 符合RoHS标准,环保设计
- 热增强型封装设计,有效散热
MDFN10A054U广泛应用于多种领域,涵盖消费电子、通信设备及工业自动化等多个方面。常见的应用包括:
- 开关电源(SMPS)中的同步整流
- DC/DC转换器的核心开关元件
- 电机驱动电路中的功率级控制保护电路
- 汽车电子系统中的功率分配与管理
- 可携式设备中的电池管理单元
由于其紧凑的封装和高性能指标,MDFN10A054U特别适合对空间敏感且要求高效能的应用场景。
MDFN10A04U, MDFN10A06U