类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：80V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：100A
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：最大8.5mΩ
　　栅极电荷（Qg）：典型值150nC
　　输入电容（Ciss）：典型值2800pF
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：DFN（Dual Flat No-lead）
　　安装类型：表面贴装
　　功率耗散（Ptot）：40W

SPNZ801059 TR 的主要特性之一是其低导通电阻（Rds(on)）为8.5mΩ（最大值），这使得该MOSFET在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高系统的整体效率。此外，该器件采用了先进的沟槽栅技术，使得导通电阻与栅极电荷之间的平衡得到了优化，从而在开关应用中表现出更优异的性能。
　　另一个显著特点是其高电流承载能力。在25°C时，连续漏极电流可达100A，使其适用于高功率密度设计，如服务器电源、电信设备和工业控制系统。此外，SPNZ801059 TR 具有良好的热稳定性，其封装设计优化了散热性能，从而在高负载条件下仍能保持稳定运行。
　　该MOSFET还具有较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），分别约为150nC和2800pF，这有助于减少开关损耗并提高开关速度，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和同步整流电路。此外，该器件具有良好的抗雪崩能力，能够承受一定的电压冲击，提高了系统在恶劣工作环境下的可靠性和稳定性。
　　封装方面，SPNZ801059 TR 采用DFN（Dual Flat No-lead）封装，具有较小的封装尺寸和良好的热性能，适用于现代电子产品对高密度PCB布局的需求。同时，该封装符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于表面贴装技术（SMT），便于自动化生产及高效率组装。

SPNZ801059 TR 广泛应用于多种电力电子系统和设备中，尤其是在需要高效功率转换和管理的场合。该MOSFET常用于DC-DC转换器，如降压（Buck）、升压（Boost）和降压-升压（Buck-Boost）拓扑结构，适用于服务器电源、通信电源模块、电池管理系统（BMS）等应用，能够有效提升转换效率并降低系统功耗。
　　在同步整流电路中，SPNZ801059 TR 可用于替代传统二极管，以减少导通损耗并提高整流效率，尤其适用于高频率开关电源和隔离式变压器副边整流电路。此外，该MOSFET也适用于负载开关设计，如电源管理单元（PMU）中的电源路径控制、热插拔系统中的电流限制和过载保护等功能。
　　在工业控制系统和电机驱动应用中，SPNZ801059 TR 可作为高侧或低侧开关使用，适用于H桥驱动、直流电机控制和步进电机控制等场景。其高电流承载能力和低导通电阻使其在高功率密度设计中表现出色，例如用于机器人、自动化设备和工业伺服驱动器等。
　　此外，该MOSFET还适用于新能源系统，如太阳能逆变器、储能系统和电动汽车（EV）充电模块，能够满足高电压、高电流工作条件下的性能需求，提供可靠、高效的功率切换能力。其良好的热性能和抗雪崩能力也使其在高温或高冲击环境中具有较强的适应性。

SPN3801059C3 TR
　　IPB080N10N3 G
　　FDMS8010S