时间：2025/7/12 0:45:56
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201R07S110GV4T 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等场景。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高效率的特点，能够有效降低功耗并提升系统性能。
此型号中的关键参数包括额定电压、电流以及导通电阻等，适用于需要高效能和高可靠性的工业及消费类电子设备。
型号：201R07S110GV4T
类型：N-Channel MOSFET
额定电压（Vds）：100 V
额定电流（Id）：68 A
导通电阻（Rds(on)）：7 mΩ
栅极电荷（Qg）：57 nC
工作温度范围：-55°C to 175°C
封装形式：TO-247
201R07S110GV4T 的主要特点是其超低导通电阻（仅 7 mΩ），这使得该芯片在大电流应用中表现出色，能够显著减少功率损耗。
此外，该器件具有较高的雪崩击穿能力和出色的热稳定性，从而确保了在极端条件下的可靠性。
它的快速开关特性和较低的栅极电荷使其非常适合高频开关应用，同时减少了电磁干扰问题。整体设计优化了散热性能，支持更紧凑的系统布局。
该功率 MOSFET 广泛应用于多种领域，例如：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. 工业电机驱动和逆变器电路。
3. 高效 DC-DC 转换器。
4. 电动车充电器和其他新能源相关设备。
5. 大功率 LED 照明驱动电路。
其强大的电流承载能力和高耐压性能，使其成为需要高可靠性和低功耗解决方案的理想选择。
201R07S110GV3T, IRF840A, FDP5500NL
