型号：MDF1752TH
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：7.5A（@TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：30A
　　最大功耗（PD）：125W（@TC=25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：0.95Ω（@VGS=10V, ID=3.8A）
　　阈值电压（Vth）：3.0V ~ 4.5V
　　输入电容（Ciss）：1100pF（@VDS=25V）
　　输出电容（Coss）：260pF（@VDS=25V）
　　反向恢复时间（trr）：55ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220F

MDF1752TH具备出色的电气性能与热稳定性，其核心优势在于低导通电阻与高电压耐受能力的结合，使其在高压开关应用中表现出色。该器件的RDS(on)典型值仅为0.95Ω，在同类600V N沟道MOSFET中处于较优水平，有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了电源系统的整体效率。其平面栅极结构经过优化设计，确保了稳定的阈值电压和均匀的电流分布，减少了热点形成的风险，从而增强了器件的长期可靠性。
　　在动态特性方面，MDF1752TH拥有较低的输入和输出电容，Ciss约为1100pF，Coss为260pF，这使得它在高频开关应用中具有更快的开关速度和更低的驱动损耗。同时，其反向恢复时间trr控制在55ns以内，显著减少了体二极管反向恢复过程中产生的尖峰电流和电磁干扰（EMI），有利于提高电路的稳定性和安全性。此外，该MOSFET具备较强的抗雪崩能力，能够在突发过压或感性负载切换时吸收一定的能量而不损坏，增强了系统的鲁棒性。
　　热管理方面，TO-220F封装提供了良好的散热路径，结到外壳的热阻（RθJC）较低，配合适当的散热片可实现高效散热，支持长时间高负载运行。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应各种严苛环境条件，包括高温工业环境和低温户外应用。其栅极氧化层经过强化处理，可承受±30V的栅源电压，避免因驱动信号波动导致的栅极击穿问题。综合来看，MDF1752TH在性能、可靠性和成本之间实现了良好平衡，是中小功率开关电源设计中的优选器件。

MDF1752TH广泛应用于各类需要高压、高效率开关功能的电力电子系统中。典型应用场景包括：开关模式电源（SMPS），如适配器、充电器和开放式电源，用于实现主开关管功能；LED恒流驱动电源，特别是在离线式反激变换器拓扑中，作为功率开关元件以实现高效的电能转换；家用电器中的电机控制与电源模块，例如空调、洗衣机和微波炉的内部电源单元；工业控制设备中的DC-DC转换器和辅助电源系统，提供稳定可靠的电压转换支持。
　　此外，该器件也适用于光伏逆变器中的辅助电源部分、电子镇流器以及小型UPS不间断电源系统。在这些应用中，MDF1752TH凭借其高耐压、低导通损耗和良好的热稳定性，能够有效提升系统效率并延长设备使用寿命。由于其具备较强的抗干扰能力和稳定的开关特性，特别适合在电磁环境复杂或对可靠性要求较高的场合使用。对于设计工程师而言，该MOSFET无需复杂的外围保护电路即可实现基本功能，简化了PCB布局与系统调试流程，降低了整体开发难度与生产成本。因此，MDF1752TH在消费电子、工业自动化和绿色能源等多个领域均具有广泛的适用性。

KIA1752H, FQPF1752, STP1752U