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IS43TR16128DL-125KBL 发布时间 时间:2025/9/1 9:11:03 查看 阅读:9

IS43TR16128DL-125KBL 是由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的一款高性能异步静态随机存取存储器(Static Random Access Memory,SRAM)芯片。该芯片采用CMOS技术制造,具备高速存取能力和低功耗特性,适用于需要高可靠性和快速响应的嵌入式系统和工业控制应用。该器件具有16位数据宽度和128K x 16的存储容量。

参数

容量:2Mbit
  组织结构:128K x 16
  电源电压:3.3V
  访问时间:12ns
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  数据总线宽度:16位
  读写操作:异步
  功耗(典型):100mA

特性

IS43TR16128DL-125KBL 芯片具备多项优良特性,包括高速访问时间(12ns),能够满足高速数据处理的需求;其采用CMOS工艺制造,功耗较低,适合对能效有要求的应用场景。此外,该芯片具备宽温度范围(-40°C至+85°C),适用于工业级环境下的稳定运行。TSOP封装形式有助于提高电路板的集成度和空间利用率,同时具有良好的散热性能。异步SRAM接口设计简化了控制逻辑,降低了系统设计的复杂性,适用于嵌入式处理器、工业控制设备和网络设备等应用场景。
  该芯片的高可靠性和稳定性使其在要求严苛的工业环境中表现优异,同时其16位并行接口支持高速数据传输,满足实时系统对快速响应的需求。此外,其低待机电流特性有助于延长电池供电设备的使用寿命。

应用

IS43TR16128DL-125KBL 常用于需要高速缓存和临时数据存储的嵌入式系统,如工业自动化控制、通信设备、测试仪器、医疗设备和消费类电子产品。在嵌入式处理器系统中,该SRAM芯片可作为高速缓冲存储器,用于提升系统运行效率。此外,它也适用于需要可靠数据存储的工业控制系统、现场可编程门阵列(FPGA)配置存储扩展以及图像处理设备中的临时图像存储。由于其宽温特性和高可靠性,特别适合在严苛环境条件下运行的设备中使用。

替代型号

IS42S16100D-125BL、CY7C1041GE3-10ZSXE、AS7C31026EC-10BIN

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IS43TR16128DL-125KBL参数

  • 现有数量3,438现货
  • 价格1 : ¥36.65000托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3L
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织128M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率800 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度0°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-TFBGA
  • 供应商器件封装96-TWBGA(9x13)