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S-L2SA812RLT1G 发布时间 时间:2025/8/13 11:25:07 查看 阅读:25

S-L2SA812RLT1G是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的低功耗、高精度电压基准芯片,广泛用于需要稳定参考电压的模拟和混合信号电路中。该器件提供固定输出电压,具有高精度和低温度漂移特性,适用于ADC、DAC、传感器接口、精密测量仪器等应用场景。

参数

类型:电压基准
  输出电压:2.048V
  初始精度:±0.1%(典型值)
  温度漂移:10ppm/°C(典型值)
  工作温度范围:-40°C至+125°C
  工作电流:50μA(典型值)
  封装类型:SOT-23-5

特性

S-L2SA812RLT1G具备出色的电压稳定性和低漂移性能,适合对精度要求较高的应用。其高精度和极低的温度漂移确保在不同工作条件下依然保持稳定的参考电压。该器件的低功耗特性使其非常适合电池供电设备和便携式电子设备。此外,该电压基准芯片支持宽温度范围工作,确保在工业和汽车应用中的可靠性。其SOT-23-5封装形式节省空间,适合高密度PCB布局。
  该器件的输出电压为2.048V,这个电压值恰好是12位ADC/DAC的理想参考电压,因为它可以提供精确的4096分之一电压分辨率,从而提高测量和控制精度。此外,该器件具有良好的负载和线路调整率,能够适应不同的负载变化并维持输出电压稳定。

应用

S-L2SA812RLT1G常用于精密测量设备、数据采集系统、传感器接口、工业控制系统、医疗仪器、电池供电设备以及汽车电子系统。由于其高精度和低功耗特性,该电压基准也适用于需要长期稳定性的嵌入式系统和便携式仪器。

替代型号

ADR3420ARJZ-R7, LM385BIM3-2.5/NOPB, REF3120AIDBZR

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