时间：2025/8/25 0:32:43
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MDF13N50G 是一款由 MagnaChip 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的高压工艺技术制造，具备高耐压、低导通电阻和优异的热稳定性，适用于各种中高功率电子设备。MDF13N50G 封装为 TO-220，便于安装和散热管理，是工业电源、DC-DC 转换器、电机驱动和家电控制等领域的理想选择。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压(VDS)：500V
最大连续漏极电流(ID)：13A
导通电阻(RDS(on))：0.45Ω（典型值）
栅极阈值电压(VGS(th))：2~4V
最大栅极电压(VGS)：±30V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220
MDF13N50G MOSFET 具备一系列优良的电气和物理特性，使其在多种功率应用中表现出色。首先，其高耐压能力（500V VDS）允许在高压电路中使用，适用于多种电源转换器和逆变器设计。其次，该器件具有较低的导通电阻（RDS(on) 典型值为 0.45Ω），这意味着在导通状态下能够有效降低功率损耗，提高系统效率，减少发热。此外，MDF13N50G 采用了先进的封装技术，确保良好的散热性能，适用于高负载工作环境。其栅极阈值电压范围为 2~4V，适用于常见的逻辑电平驱动电路，兼容多种控制器和驱动IC。该器件还具备较高的热稳定性和短路耐受能力，提高了整体系统的可靠性和安全性。MDF13N50G 在高温环境下仍能保持稳定工作，最大工作温度可达 150°C，适合在严苛工业环境中使用。
在开关性能方面，MDF13N50G 的输入电容（Ciss）约为 1100pF，输出电容（Coss）约为 350pF，反向传输电容（Crss）约为 80pF，这些参数使其能够在中高频开关应用中表现良好，适用于多种开关电源拓扑结构，如反激式、正激式和半桥式变换器。此外，该器件的封装形式为 TO-220，便于安装在散热片上，提高热管理效率，适合工业和消费类电子产品应用。
MDF13N50G MOSFET 广泛应用于多个领域，包括工业电源、消费类电子产品、家电控制、LED 照明驱动、电机控制、DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器、UPS（不间断电源）、光伏逆变器、智能电表和变频器等。在工业自动化和控制设备中，该器件可用于驱动继电器、电磁阀和电机控制器，提高系统能效和稳定性。在消费类电子产品中，MDF13N50G 常用于电源管理模块，如电源适配器、充电器和智能插座等，提供高效、稳定的功率控制。此外，该器件还可用于新能源系统，如太阳能逆变器和储能设备，以提升能源转换效率。在汽车电子领域，MDF13N50G 也可用于车载充电系统和电池管理系统，满足高可靠性和耐久性要求。
FDP13N50C, FQA13N50C, 13N50C, IRFBC40, FDPF13N50
