型号：IRKL41/08
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：PG-HSOF-8
　　连续漏极电流（ID）：8.5A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（IDM）：34A
　　漏源击穿电压（BVDSS）：100V
　　阈值电压（VGS(th)）：2.1V ~ 3.0V
　　导通电阻（RDS(on)）：15mΩ @ VGS=10V, ID=8.5A
　　栅极电荷（Qg）：13nC @ VGS=10V
　　输入电容（Ciss）：420pF @ VDS=50V
　　反向恢复时间（trr）：25ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　栅源电压（VGS）：±20V

IRKL41/08采用英飞凌成熟的TrenchStop技术，这种先进的沟道工艺结构能够在不牺牲击穿电压的前提下大幅降低导通电阻与开关损耗。其核心优势在于优化了载流子分布与电场控制机制，使得器件在100V额定电压下仍能实现仅15mΩ的低RDS(on)，这极大地减少了导通状态下的功率损耗，提高了电源系统的整体效率。该技术还有效抑制了短路和过载情况下的热失控风险，增强了器件的安全裕度。
　　该MOSFET具备非常低的栅极电荷（Qg = 13nC），这意味着在高频开关应用中所需的驱动能量更少，可降低控制器的驱动负担并减少动态损耗。同时，较低的输入电容（Ciss = 420pF）也有助于提升开关速度，使器件适用于高达数百kHz甚至更高的开关频率环境，如同步整流DC-DC变换器或半桥拓扑电路。
　　IRKL41/08内置良好的体二极管，其反向恢复时间较短（trr ≈ 25ns），可在需要快速续流的应用中提供可靠性能，比如在H桥电机驱动或LLC谐振转换器中避免严重的反向恢复电流尖峰。此外，器件经过严格测试，具备优异的抗雪崩能力，能够承受一定的瞬态过压冲击，提升了系统鲁棒性。
　　PG-HSOF-8封装是一种薄型表面贴装封装，具有优良的散热性能和较小的占位面积，非常适合对空间敏感且要求高效散热的设计。该封装还支持回流焊工艺，便于现代SMT生产线集成，提升了制造效率和产品一致性。综合来看，IRKL41/08是一款兼顾性能、效率与可靠性的高端功率MOSFET，广泛应用于各类高密度电源设计中。

IRKL41/08广泛用于多种中等功率级别的电源转换与控制场合。典型应用包括非隔离式DC-DC降压（Buck）转换器，特别是在12V或24V输入系统中作为主开关管或同步整流管使用，凭借其低RDS(on)和快速开关特性可显著提升转换效率并减少发热。在电机驱动领域，该器件可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，承担高低边开关功能，实现精确的正反转与调速控制。
　　此外，IRKL41/08也适用于服务器电源、电信设备电源模块、LED恒流驱动电源以及便携式工业设备的电池管理系统中。由于其具备良好的热稳定性和宽工作温度范围，因此在高温环境下依然能够保持稳定性能，适合部署于密闭或通风不良的机箱内部。
　　在光伏逆变器、UPS不间断电源和轻型逆变设备中，该MOSFET可用于初级侧或次级侧的开关节点，执行能量传递与通断控制任务。其快速响应能力和低延迟特性使其能够适应复杂的数字控制策略，例如PWM调制与ZVS软开关技术。
　　另外，得益于其表面贴装封装形式，IRKL41/08特别适合自动化生产流程，常见于通信基站板卡、嵌入式计算主板、智能电表及工业传感器供电单元等高集成度电子产品中。总体而言，只要涉及100V以内电压等级、需要高效能功率切换的应用场景，IRKL41/08都是一个极具竞争力的选择。

IRLHS6242, IRF7473, IRLML6244, FDS6680A