MD6D001H3 时间：2025/9/7 12:43:24 阅读：13

MD6D001H3 是一款由 Microsemi（现为 Microchip Technology 旗下品牌）生产的功率 MOSFET 模块，专门设计用于高效率、高可靠性的功率转换应用。该器件采用双封装设计，集成了多个 MOSFET 管芯，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热管理性能，适用于工业电源、DC-DC 转换器、电机控制和不间断电源（UPS）系统等应用场景。

参数

类型：功率 MOSFET 模块
　　配置：双 N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　漏极电流（ID）@25°C：200A
　　导通电阻（RDS(on)）：1.2mΩ（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：120nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：双 D2PAK（表面贴装）

特性

MD6D001H3 具备多项优异性能，首先其采用了先进的 Power MOSFET 技术，提供了极低的导通电阻（RDS(on)），从而显著降低了导通损耗，提高了系统效率。
　　其次，该模块的双 N 沟道 MOSFET 配置使其适用于同步整流、H 桥拓扑和 DC-DC 转换器等高频开关应用，具备出色的开关速度和动态响应能力。
　　此外，MD6D001H3 采用了高可靠性的 D2PAK 封装，具备良好的热管理能力，能够在高电流和高温环境下稳定工作，延长系统寿命。
　　该器件还内置了热保护和过流保护功能，提高了系统在异常工作条件下的稳定性与安全性。
　　MD6D001H3 支持宽温度范围（-55°C 至 +175°C），适用于严苛环境下的工业和车载应用。

应用

MD6D001H3 广泛应用于多种功率电子系统中，包括但不限于以下领域：
　　在 DC-DC 转换器中，该器件用于高效率的同步整流电路，提高转换效率并减少热量产生。
　　在电机驱动和控制电路中，MD6D001H3 可用于构建 H 桥结构，实现对直流电机或步进电机的精确控制。
　　此外，该模块也适用于不间断电源（UPS）系统、电池管理系统（BMS）以及工业自动化和控制设备中的功率开关部分。
　　由于其优异的热管理和高可靠性，MD6D001H3 也常用于车载电子系统、太阳能逆变器和储能系统等对可靠性要求较高的场合。