IXTR32P60P 时间：2025/7/25 22:06:33 阅读：8

IXTR32P60P是一款由IXYS公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的沟槽栅极技术，提供了更低的导通电阻和更高的效率，适用于电源转换、电机控制和工业自动化等领域。IXTR32P60P具有高耐压能力和优异的热稳定性，使其在高负载条件下仍能保持稳定性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：600V
　　连续漏极电流(Id)：32A（Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流(Idm)：128A
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　导通电阻(Rds(on))：最大0.115Ω
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装类型：TO-247
　　功率耗散(Pd)：200W

特性

IXTR32P60P采用了先进的沟槽栅极技术，这使得其导通电阻显著降低，从而减少了导通损耗，提高了整体效率。该器件具有高耐压能力，最大漏源电压可达600V，适用于高电压应用。此外，其连续漏极电流为32A，在高负载条件下仍能稳定工作。
　　这款MOSFET具有良好的热稳定性，能够在-55℃至+150℃的宽温度范围内正常工作。封装形式为TO-247，便于安装和散热管理。此外，其功率耗散能力为200W，使其能够承受较高的功率负荷。
　　IXTR32P60P还具备优异的抗雪崩能力和高可靠性，适用于要求高稳定性和耐用性的工业应用。其栅源电压范围为±20V，确保了在不同控制信号下的稳定运行。

应用

IXTR32P60P广泛应用于各种高功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、电机驱动器、逆变器、UPS系统和工业自动化设备。由于其高耐压能力和低导通电阻，该器件特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源转换系统。
　　在新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车充电设备，IXTR32P60P也得到了广泛应用。其高热稳定性和优异的抗雪崩能力使其在恶劣工作环境下依然能够保持稳定性能。此外，该器件还可用于焊接设备、电镀电源和高频电源等应用。