时间：2025/8/28 16:00:36
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MD55A是一款由日本东芝（Toshiba）公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率密度和高频开关应用。该器件采用了先进的沟槽栅（Trench Gate）结构，以实现较低的导通电阻和较高的电流承载能力。MD55A特别适用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、马达驱动电路以及各类功率管理设备。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：200A
脉冲漏极电流（IDM）：800A
导通电阻（RDS(ON)）：最大1.8mΩ（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-247AD
功耗（PD）：300W
MD55A具备多项优异的电气和热性能，能够满足高要求的功率转换应用需求。其导通电阻低至1.8mΩ，有助于减少导通损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽栅技术，使开关性能更为优越，同时降低了米勒电容，减少了开关损耗。MD55A的封装形式为TO-247AD，具有良好的散热性能，适用于高功率密度设计。
此外，MD55A具有较高的热稳定性，可在-55°C至175°C的宽温度范围内稳定工作，适用于严苛的工业环境。其栅极驱动电压范围为±20V，支持多种驱动电路设计，便于与不同类型的控制器或驱动IC配合使用。该器件还具备较高的短路耐受能力，增强了在异常工作条件下的可靠性。
值得一提的是，MD55A的封装设计优化了寄生电感，从而减少了开关过程中的振荡和电磁干扰（EMI）。这一特性对于高频开关应用尤为重要，可有效提升系统的稳定性和效率。此外，该器件还具备较高的耐用性和长期可靠性，适用于工业自动化、通信电源、新能源设备等对稳定性要求较高的场合。
MD55A广泛应用于各类高功率密度和高频开关电源系统中。典型的应用包括DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、逆变器、马达驱动器、电池管理系统（BMS）以及功率因数校正（PFC）电路。由于其优异的导通性能和热稳定性，该器件特别适用于需要高效能和高可靠性的工业自动化设备、通信基础设施、新能源系统以及电动车辆相关应用。
TK85E06K,TMWS50N06K,TMBS50N06K
