时间：2025/8/13 23:23:45
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LBC857CDW1T1G 是安森美半导体（ON Semiconductor）推出的一款双极型晶体管（NPN/PNP组合），专为高增益、低噪声和高可靠性应用设计。该器件采用SOT-363（SC-88）封装，具有较小的尺寸，适用于便携式电子设备、射频放大器、音频放大器以及工业控制等应用场景。LBC857CDW1T1G 内部集成了一个NPN型和一个PNP型晶体管，可提供互补的放大功能，适合用于推挽式放大电路、电平转换和开关电路。
类型：双极型晶体管（NPN + PNP）
封装：SOT-363（SC-88）
最大集电极电流（IC）：100 mA（NPN），100 mA（PNP）
最大集电极-发射极电压（VCEO）：30 V（NPN），30 V（PNP）
最大集电极-基极电压（VCBO）：50 V（NPN），50 V（PNP）
最大功耗（PD）：200 mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
增益（hFE）：最高可达800（根据档位不同）
频率响应：最高工作频率可达100 MHz
安装类型：表面贴装（SMD）
LBC857CDW1T1G 是一款高性能的互补双极型晶体管对管，具有优异的电气特性和稳定性。其主要特点包括高增益、低噪声系数、宽工作温度范围以及良好的热稳定性。由于其NPN和PNP晶体管集成在一个封装中，可以有效地实现推挽放大、差分放大、电平转换等功能，减少PCB板的空间占用。该器件的hFE（电流增益）可根据不同的应用需求分为多个等级，适用于精密放大电路的设计。此外，LBC857CDW1T1G 的最大工作频率高达100 MHz，使其适用于射频（RF）和中频（IF）放大器应用。其封装形式为SOT-363，体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用。安森美半导体对该器件的制造工艺进行了优化，确保了其在恶劣环境下的稳定性和可靠性，适合工业和汽车电子应用。
LBC857CDW1T1G 的另一大优势是其低饱和压降（VCE(sat)），这有助于降低功耗，提高系统效率。此外，该器件具有良好的热阻特性，能够在较高温度环境下稳定工作。对于需要低噪声性能的应用，如音频前置放大器或传感器信号调理电路，LBC857CDW1T1G 表现出色，其低噪声系数可有效提升信号链的整体信噪比。该器件还具有较高的电流驱动能力，适用于驱动LED、继电器、小型电机等负载。
LBC857CDW1T1G 适用于多种电子电路设计场景，包括但不限于音频放大器、射频放大器、推挽式输出级、电平转换电路、开关电路、传感器信号调理、工业控制电路、汽车电子系统以及便携式消费类电子产品。它常用于构建差分放大器、达林顿对管、逻辑电平转换器以及驱动小型继电器或LED显示器。
BC857CDW/BP, BC847CUBX, MMBT3904LT1G, MMBT3906LT1G
