MD53R33 时间：2025/11/8 9:30:57 阅读：8

MD53R33是一款由Rohm Semiconductor生产的表面贴装肖特基势垒二极管（SBD），采用小型化DFN1006-2（PLP1006-2）封装，专为在便携式电子设备和高密度印刷电路板中实现高效能与节省空间的设计而开发。该器件结合了低正向电压降和快速开关特性，适用于多种电源管理和信号整流应用。MD53R33的命名遵循Rohm的标准型号规则，其中“MD”代表肖特基二极管，“53”表示DFN1006-2封装，“R”通常代表产品系列或材料类型，“33”则可能指代特定的电气等级或额定值。该二极管在设计上优化了热性能和电性能，能够在有限的空间内提供可靠的电流导通能力，并具备良好的反向击穿耐受性。其无铅结构符合RoHS环保标准，适合现代绿色电子产品制造的需求。由于其微小的封装尺寸和优异的电气性能，MD53R33广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备、无线模块以及各类低功率DC-DC转换器中，作为续流二极管、防反接保护或电源路径管理的关键元件。

参数

型号：MD53R33
　　封装：DFN1006-2 (1006, 1.0 x 0.6 mm)
　　极性：单芯片双阳极共阴极（Dual Anode Common Cathode）
　　最大重复反向电压（VRRM）：30V
　　最大平均正向整流电流（IF(AV)）：300mA
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：1A
　　最大正向电压降（VF）：0.51V @ IF = 150mA
　　最大反向漏电流（IR）：0.1μA @ VR = 25V
　　工作结温范围（Tj）：-40°C 至 +125°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　热阻（Junction-to-Ambient, RθJA）：约 400°C/W（依PCB布局而定）
　　安装方式：表面贴装（SMT）
　　湿度敏感等级（MSL）：1级（车间寿命无限）
　　符合标准：AEC-Q101（部分批次）、RoHS指令、无卤素

特性

MD53R33的核心优势在于其采用先进的沟槽型肖特基势垒结构，在保证低正向压降的同时有效抑制了传统平面结构中存在的边缘电场集中问题，从而提升了器件的反向击穿稳定性和长期可靠性。这种结构设计显著降低了漏电流水平，在室温下典型值仅为0.01μA，即使在高温条件下也能保持较低的漏电特性，确保系统在待机或低功耗模式下的能耗最小化。
　　该器件的最大正向电压降为0.51V（在150mA测试条件下），相比普通PN结二极管（约0.7V以上）具有更高的能量转换效率，特别适合用于低压差电源路径中，有助于减少发热并提升整体系统能效。同时，其快速开关响应时间（反向恢复时间trr < 1ns）意味着几乎不存在反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），避免了因开关瞬态引起的电磁干扰和额外损耗，非常适合高频整流场合如同步整流替代、开关电源次级侧整流等应用。
　　DFN1006-2封装不仅尺寸极小（仅1.0mm × 0.6mm × 0.45mm），还具备优良的散热性能，通过底部裸露焊盘可将热量高效传导至PCB地层，提升功率密度和热稳定性。此外，该封装不含引线框架，采用铜夹连接技术，进一步降低内部寄生电阻和电感，增强高频性能。
　　MD53R33支持高密度自动贴片生产流程，兼容标准回流焊工艺，且MSL等级为1级，无需烘烤即可直接上线，极大简化了供应链管理和生产准备过程。其双阳极共阴极配置允许两个独立信号通道共享一个公共阴极端子，节省布线空间并简化电路拓扑，在多路信号隔离或双通道电源切换电路中表现出色。

应用

MD53R33广泛应用于对空间和能效要求严苛的便携式电子产品中，典型用途包括移动设备中的电池充电管理电路，作为输入电源选择开关的OR-ing二极管，实现主辅电源之间的无缝切换；在DC-DC降压或升压转换器中用作续流二极管，利用其低VF和快恢复特性提高转换效率；在USB接口保护电路中防止反向电流倒灌；也可用于LED背光驱动电路中的电流隔离元件。
　　此外，该器件适用于各种模拟开关、逻辑电平移位器辅助电路、传感器信号调理模块以及小型无线通信模块（如蓝牙LE、Wi-Fi模组）的电源管理单元。由于其优异的高频响应能力和低噪声特性，MD53R33也常被用于射频前端电路中的偏置网络或检波电路。在汽车电子领域，尽管未全部认证AEC-Q101，但部分工业级版本可用于非关键车载系统的辅助电源整流任务。总体而言，任何需要微型化、高效率、快速响应的整流或隔离功能的应用场景均是MD53R33的理想选择。