BF840 时间：2025/9/15 3:39:32 阅读：4

BF840 是一款由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）推出的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用中。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具有较低的导通电阻（RDS(on)）和优异的开关性能，使其在高频电源转换器中表现出色。BF840适用于多种应用，如DC-DC转换器、负载开关、马达控制以及电池供电设备等。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：40V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：140A（在Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：560A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值5.3mΩ（在VGS=10V时）
　　耗散功率（PD）：250W
　　工作温度范围：-55℃至+175℃
　　封装类型：TO-263（D2PAK）

特性

BF840 MOSFET采用了先进的Trench沟槽技术，显著降低了导通电阻，提高了导电效率。这种设计有助于降低功率损耗，提高系统效率。
　　其导通电阻（RDS(on)）在VGS=10V时的典型值为5.3mΩ，能够显著减少导通状态下的功率损耗，特别适用于高电流应用。
　　该器件支持高达140A的连续漏极电流，且在脉冲条件下可承受高达560A的漏极电流，具有非常强的过载能力。
　　此外，BF840具备较高的热稳定性，能够在较高的工作温度下稳定运行，确保了其在严苛环境中的可靠性。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围为±20V，支持快速开关操作，从而减少开关损耗，提高电源转换效率。
　　其TO-263（D2PAK）表面贴装封装不仅提供良好的热管理，还简化了PCB设计和制造流程。
　　BF840还具有较低的输入电容（Ciss）和反向传输电容（Crss），从而优化了高频开关性能并降低了电磁干扰（EMI）。
　　由于其高耐压能力和大电流处理能力，BF840非常适合用于各种电源管理应用，尤其是在需要高效率和高可靠性的场合。

应用

BF840 MOSFET广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　? DC-DC转换器：由于其低导通电阻和快速开关特性，BF840非常适合用于高效能DC-DC转换器，如降压（Buck）和升压（Boost）转换器。
　　? 电池管理系统（BMS）：该器件可用于电池保护电路，作为高电流开关以控制电池充放电。
　　? 电源管理模块：BF840适用于服务器电源、工业电源和通信设备电源等高可靠性应用。
　　? 负载开关：在需要快速切换高电流负载的场合，如电机驱动和照明系统中，BF840可以作为主开关器件。
　　? 电动工具和电动汽车：由于其高电流处理能力和热稳定性，BF840可用于电动工具、电动车以及储能系统中的功率控制模块。
　　? 逆变器和UPS系统：在不间断电源（UPS）和太阳能逆变器等应用中，BF840能够提供高效的功率转换性能。