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K9F8G08U0M-PCB0 发布时间 时间:2025/5/23 21:43:49 查看 阅读:27

K9F8G08U0M-PCB0 是三星(Samsung)推出的一款 NAND Flash 存储芯片。该芯片采用 3.3V 供电,适用于多种嵌入式存储应用。其主要功能是提供高密度、非易失性数据存储,广泛用于消费电子、工业控制和通信设备等领域。
  这款芯片的容量为 1Gb(128MB),基于多级单元(MLC)技术设计,支持标准的 8 位并行接口,具有较快的数据传输速度和较高的可靠性。

参数

容量:1Gb (128MB)
  电压:3.3V
  接口类型:8 位并行接口
  封装形式:TSOP
  工作温度范围:0°C 至 +70°C
  数据保持时间:10 年

特性

1. 高密度存储:单芯片实现 1Gb 的存储容量,适合需要大容量存储的应用场景。
  2. 快速读写性能:支持较高速度的并行数据传输,满足实时数据处理需求。
  3. 可靠性高:采用先进的制造工艺,确保在各种环境下稳定运行。
  4. 低功耗设计:优化了芯片的工作模式,有效降低系统能耗。
  5. 多种应用场景:适用于数码相机、MP3 播放器、USB 闪存盘等便携式电子产品。
  6. 易于集成:标准 TSOP 封装便于 PCB 布局设计,简化开发流程。

应用

K9F8G08U0M-PCB0 主要应用于以下领域:
  1. 数码相机和摄像机中的图像存储。
  2. MP3 播放器和其他便携式音频设备的数据存储。
  3. USB 闪存盘和固态硬盘的核心存储组件。
  4. 工业自动化系统中的程序和数据存储。
  5. 网络通信设备中的日志记录和配置文件保存。
  6. 各类嵌入式系统中作为外部扩展存储使用。

替代型号

K9F8G08U0D-PIB0
  K9F8G08U0M-TCK0

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