时间：2025/10/30 9:30:05
阅读：11
MD27C256-35/B是一款由Microchip Technology公司生产的高性能256K位（32K x 8）紫外线可擦除可编程只读存储器（UV-EPROM）。该器件广泛应用于需要非易失性程序存储的嵌入式系统、工业控制设备和通信设备中。其封装形式为标准的40引脚DIP（双列直插式封装），便于在开发和调试过程中进行编程与擦除操作。MD27C256-35/B采用CMOS工艺制造，具备低功耗特性，同时保持了高可靠性和长期数据保持能力。该芯片支持通过紫外线照射实现全片擦除，通常使用专用的EPROM编程器进行写入，并可通过透明窗口暴露于紫外线灯下完成擦除过程，适用于需要频繁修改固件的开发环境。
该器件的工作电压为+5V，兼容TTL电平接口，能够无缝集成到大多数微控制器系统中。访问时间为35ns，意味着其具有较快的读取速度，适合对性能有一定要求的应用场景。此外，MD27C256-35/B设计有高噪声抑制能力和输出端口保护电路，增强了在恶劣电磁环境下的稳定性。尽管随着闪存技术的发展，此类UV-EPROM逐渐被EEPROM和Flash取代，但在某些特定领域如教学实验、旧设备维护以及对辐射敏感度有特殊需求的场合仍具应用价值。
型号：MD27C256-35/B
容量：256 Kbit (32K x 8)
工作电压：+5V ±10%
访问时间：35ns
封装类型：40-pin DIP
编程电压：+12.5V 或 +21V（依具体版本而定）
工作温度范围：0°C 至 +70°C
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
最大功耗：典型值为150mW
输入逻辑电平：TTL兼容
输出逻辑电平：TTL兼容
封装材质：陶瓷或塑料DIP（带石英窗口）
擦除方式：紫外线擦除（典型波长253.7nm，能量≥15W-sec/cm2）
数据保持时间：最小10年（典型条件下）
编程脉冲宽度：100ns（典型）
待机电流：≤100μA（最大）
读取电流：≤40mA（最大）
MD27C256-35/B具备出色的电气特性和物理可靠性，能够在各种复杂环境中稳定运行。其核心优势之一是快速的35ns访问时间，这使得它在需要高速指令读取的微处理器系统中表现出色，尤其适用于早期的8位和16位CPU架构。芯片内部结构采用浮栅MOS晶体管技术，确保数据在断电后仍能长期保存，且在未受强光照射的情况下信息不会意外丢失。器件支持标准+5V电源供电，简化了系统电源设计，并通过内置的噪声滤波和输入施密特触发器提升抗干扰能力，防止因信号抖动导致误操作。
该EPROM提供可靠的编程机制，通常在Vpp引脚施加+12.5V或+21V编程电压（具体取决于制造商规范），配合精确时序控制完成字节写入。编程算法经过优化，可在较短时间内完成整片烧录，同时具备错误检测功能以提高写入成功率。为了延长使用寿命，芯片允许进行多次编程/擦除循环（一般可达100次以上），尽管每次擦除需依赖外部紫外线光源，限制了现场更新灵活性，但这也避免了电擦除可能带来的误触发风险。
封装上的透明石英窗口不仅方便紫外线照射擦除，也便于用户识别芯片状态及标签信息。此外，该器件符合工业级环境标准，在0°C至+70°C范围内保证正常工作，满足大多数商用和工业应用的需求。输出驱动能力强，可直接驱动多个TTL负载，减少了额外缓冲电路的需求。整体设计注重兼容性与稳定性，使其成为经典EPROM架构中的代表性产品之一。
MD27C256-35/B主要应用于需要非易失性程序存储的各类电子系统中，尤其是在微控制器和微处理器系统的固件存储方面发挥重要作用。常见用途包括工业自动化控制系统中的PLC模块、数控机床的启动引导程序存储、通信基站的配置代码存放以及测试测量仪器的嵌入式软件固化。由于其支持重复擦写（通过紫外线），该芯片在研发阶段被广泛用于原型验证和固件迭代开发，工程师可以反复烧录不同版本的程序进行调试，而无需更换硬件。
此外，该器件也常出现在教育实验平台和电子爱好者项目中，作为学习汇编语言、单片机原理和存储器操作的理想选择。其直观的操作流程（编程→测试→擦除→重编程）有助于理解非易失性存储器的基本工作原理。在一些老旧设备的维修和备件替换中，MD27C256-35/B仍然具有不可替代的作用，特别是在无法获取原厂定制化Flash方案的情况下。另外，由于其对电磁脉冲和辐射环境相对不敏感（相比现代高密度存储器），在某些军事或航天领域的遗留系统中仍有使用。虽然目前主流市场已转向串行EEPROM和NOR Flash等更先进的技术，但在特定应用场景下，该UV-EPROM仍因其成熟性、稳定性和可逆性而保有一席之地。
27C256B
AT27C256R
M27C256B
SST39SF040
