时间：2025/6/24 6:21:40
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SE10F18B15A 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等场景。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，从而实现更高的效率和更小的功率损耗。
其封装形式通常为 TO-252（DPAK），适合表面贴装技术（SMT）应用，同时提供了良好的散热性能。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：13A
导通电阻：15mΩ
总栅极电荷：15nC
开关频率：最高可达 1MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
SE10F18B15A 的主要特性包括低导通电阻（Rds(on)），能够有效降低传导损耗并提升系统效率；同时具备快速开关能力，支持高频应用以减小磁性元件体积。此外，该器件还具有优秀的热稳定性，在高温环境下仍能保持可靠的性能表现。
其紧凑的封装设计使得 SE10F18B15A 在空间受限的应用中具有显著优势。并且，该 MOSFET 还提供静电防护功能，有助于提高系统的鲁棒性。
SE10F18B15A 常用于多种电力电子领域，如高效 DC-DC 转换器、降压或升压电路中的功率开关，各类电池管理系统（BMS），负载切换以及小型电机控制等方面。在消费类电子产品中，它也被广泛应用于 USB 充电器、便携式设备适配器等场合。
此外，由于其出色的性能特点，SE10F18B15A 还适用于工业自动化设备中的信号处理与功率传输模块。
IRF7404, FDP5500
