MCM69R736CZP4 时间：2025/9/3 16:53:00 阅读：28

MCM69R736CZP4 是一款由Motorola（现为NXP Semiconductors）生产的高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片。这款SRAM芯片采用CMOS技术制造，具有高速访问时间和低功耗特性，适用于需要高性能数据存储的场合。MCM69R736CZP4是异步SRAM，工作电压为5V，封装形式为52引脚塑料封装（PLCC），适用于工业控制、通信设备、网络设备和嵌入式系统等领域。

参数

容量：256K x 4位
　　组织结构：256K地址 x 4数据位
　　工作电压：5V ± 10%
　　访问时间：4.5ns、5.4ns、7.0ns（视型号后缀而定）
　　工作温度范围：工业级 -40°C 至 +85°C
　　封装类型：52引脚 PLCC（Plastic Leaded Chip Carrier）
　　接口类型：异步（Asynchronous）
　　功耗：典型待机电流小于1mA，工作电流根据频率变化

特性

MCM69R736CZP4 SRAM芯片具备多项优异特性，确保其在各种高性能应用中的稳定性和可靠性。首先，其高速访问时间可低至4.5ns，允许系统在高频率下运行，适用于高速缓存、实时数据缓冲等场景。该芯片采用CMOS工艺制造，具有较低的静态功耗，适合需要节能设计的应用环境。
　　该SRAM具有256K x 4位的存储结构，总容量为1兆位（1Mb），提供4个数据位并行输出。其异步接口设计简化了与微处理器、FPGA、ASIC等逻辑器件的连接，无需额外的时钟信号控制，提升了设计的灵活性。
　　在工作温度方面，MCM69R736CZP4支持工业级温度范围（-40°C 至 +85°C），适用于恶劣环境下的嵌入式系统、工业控制设备和通信模块。其52引脚PLCC封装形式便于安装和更换，同时具备良好的热稳定性和机械可靠性。
　　此外，该芯片具有低待机电流特性，在未被访问时自动进入低功耗模式，有效延长电池供电设备的使用寿命。其输出驱动能力较强，支持总线连接和多片并联扩展，适用于需要大容量SRAM系统的应用。

应用

MCM69R736CZP4 SRAM芯片广泛应用于对数据存取速度要求较高的系统中。典型应用场景包括工业控制系统的高速缓存、网络设备中的临时数据存储、通信模块的数据缓冲区以及嵌入式系统中的程序和数据存储。此外，它也适用于测试设备、测量仪器和图像处理设备等需要快速访问存储器的电子设备。由于其宽温工作范围和高可靠性，该芯片在航空航天、汽车电子和工业自动化等高要求领域也有广泛应用。