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MCM69R736CZP4 发布时间 时间:2025/9/3 16:53:00 查看 阅读:10

MCM69R736CZP4 是一款由Motorola(现为NXP Semiconductors)生产的高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片。这款SRAM芯片采用CMOS技术制造,具有高速访问时间和低功耗特性,适用于需要高性能数据存储的场合。MCM69R736CZP4是异步SRAM,工作电压为5V,封装形式为52引脚塑料封装(PLCC),适用于工业控制、通信设备、网络设备和嵌入式系统等领域。

参数

容量:256K x 4位
  组织结构:256K地址 x 4数据位
  工作电压:5V ± 10%
  访问时间:4.5ns、5.4ns、7.0ns(视型号后缀而定)
  工作温度范围:工业级 -40°C 至 +85°C
  封装类型:52引脚 PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier)
  接口类型:异步(Asynchronous)
  功耗:典型待机电流小于1mA,工作电流根据频率变化

特性

MCM69R736CZP4 SRAM芯片具备多项优异特性,确保其在各种高性能应用中的稳定性和可靠性。首先,其高速访问时间可低至4.5ns,允许系统在高频率下运行,适用于高速缓存、实时数据缓冲等场景。该芯片采用CMOS工艺制造,具有较低的静态功耗,适合需要节能设计的应用环境。
  该SRAM具有256K x 4位的存储结构,总容量为1兆位(1Mb),提供4个数据位并行输出。其异步接口设计简化了与微处理器、FPGA、ASIC等逻辑器件的连接,无需额外的时钟信号控制,提升了设计的灵活性。
  在工作温度方面,MCM69R736CZP4支持工业级温度范围(-40°C 至 +85°C),适用于恶劣环境下的嵌入式系统、工业控制设备和通信模块。其52引脚PLCC封装形式便于安装和更换,同时具备良好的热稳定性和机械可靠性。
  此外,该芯片具有低待机电流特性,在未被访问时自动进入低功耗模式,有效延长电池供电设备的使用寿命。其输出驱动能力较强,支持总线连接和多片并联扩展,适用于需要大容量SRAM系统的应用。

应用

MCM69R736CZP4 SRAM芯片广泛应用于对数据存取速度要求较高的系统中。典型应用场景包括工业控制系统的高速缓存、网络设备中的临时数据存储、通信模块的数据缓冲区以及嵌入式系统中的程序和数据存储。此外,它也适用于测试设备、测量仪器和图像处理设备等需要快速访问存储器的电子设备。由于其宽温工作范围和高可靠性,该芯片在航空航天、汽车电子和工业自动化等高要求领域也有广泛应用。

替代型号

MCM69R736CZP4的替代型号包括MCM69R736CZP4B4、MCM69R736CZP4B7、IDT71V436S、CY7C199-10VC、AS7C256A-10TC、IS61LV2564-10T等。在选择替代型号时,需注意容量、访问时间、封装类型和工作温度范围是否匹配原设计需求。

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