SKRRACE010 是一款基于 SiC(碳化硅)材料设计的 MOSFET 芯片,主要用于高效率、高频开关应用。该器件采用先进的封装技术,具有较低的导通电阻和快速的开关速度,能够显著提升电力电子系统的性能。它适用于工业电源、电动汽车充电设备、光伏逆变器等领域。
SKRRACE010 的核心优势在于其优异的热性能和耐高压能力,能够在高温环境下保持稳定运行。此外,其低损耗特性有助于提高系统效率,减少能源浪费。
额定电压:1200V
额定电流:40A
导通电阻:7mΩ
栅极电荷:90nC
反向恢复时间:50ns
工作温度范围:-55℃ 至 175℃
SKRRACE010 的主要特性包括:
1. 采用碳化硅(SiC)技术,具备出色的开关特性和导通性能。
2. 额定电压高达 1200V,适合高压应用场景。
3. 极低的导通电阻(7mΩ),可有效降低功率损耗。
4. 快速开关速度,支持高频工作模式。
5. 具备良好的热稳定性,可在宽温范围内可靠运行。
6. 内置过流保护功能,提高系统安全性。
7. 符合 RoHS 标准,环保无害。
SKRRACE010 广泛应用于以下领域:
1. 工业电源:如不间断电源(UPS)、焊接电源等。
2. 电动汽车充电设备:直流快充桩中的功率转换模块。
3. 光伏逆变器:用于太阳能发电系统的 DC-AC 转换。
4. 电机驱动:高效驱动控制器的核心元件。
5. 不间断电源系统:为关键设备提供稳定的电力支持。
6. 其他需要高性能功率开关的应用场景。
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