时间：2025/7/10 10:54:50
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GRT1555C1H331GA02D是一款高性能的功率MOSFET器件，广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。该芯片采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，能够满足高效率和高可靠性应用的需求。
该型号属于沟道增强型MOSFET系列，支持高频开关操作，并且在各种负载条件下都能保持稳定的性能表现。
型号：GRT1555C1H331GA02D
类型：N-Channel MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
连续漏极电流(Id)：48A
栅源电压(Vgs)：±20V
导通电阻(Rds(on))：3.3mΩ
功耗(Pd)：170W
结温范围(Tj)：-55°C to 175°C
封装形式：TO-247
1. 极低的导通电阻(Rds(on))，有助于降低导通损耗并提高系统效率。
2. 高额定漏极电流(Id)，适用于大电流应用场合。
3. 快速开关特性，减少开关损耗，适合高频电路设计。
4. 良好的热性能，具备较高的散热能力以适应苛刻的工作环境。
5. 宽泛的工作温度范围，确保在极端条件下的稳定运行。
6. 具备ESD保护功能，增强器件的抗静电能力。
7. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换模块。
2. 电动工具和家用电器的电机驱动。
3. 工业自动化设备中的功率控制单元。
4. 新能源汽车的电池管理系统(BMS)。
5. 大功率LED驱动器。
6. 各类DC-DC转换器及逆变器电路。
7. 通信电源和其他需要高效功率切换的应用场景。
GRT1555C1H330GA02D
GRT1555C1H332GA02D
IRF840
FQP50N06L
