2SK1960 时间：2025/8/2 7:08:44 阅读：30

2SK1960 是一款由东芝（Toshiba）公司制造的N沟道增强型功率MOSFET，常用于音频功率放大器和开关电源等高频率应用中。该器件具有低导通电阻、高电流容量和优异的高频特性，适用于需要高效能和稳定性的电子系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大漏极电流（ID）：15A（连续）
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.042Ω（典型值，VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-220AB

特性

2SK1960 具有多个关键特性，使其在音频放大器和其他高频功率应用中表现卓越。
　　首先，该MOSFET的低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率，同时减少发热，延长器件寿命。
　　其次，2SK1960 支持高达15A的连续漏极电流，具备较强的电流驱动能力，适用于高功率输出设计。
　　此外，该器件采用TO-220AB封装，具有良好的散热性能，适合在高功率密度环境中使用。其封装也便于安装散热片，进一步提升热管理能力。
　　2SK1960 还具备较高的开关速度，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、PWM控制电路和D类音频放大器。
　　最后，其栅极驱动电压范围宽广（±20V），兼容多种驱动电路设计，提高了应用的灵活性。

应用

2SK1960 主要用于以下几类电子系统和设备中：
　　在音频功率放大器中，2SK1960 常用于D类放大器的输出级，提供高效能和低失真的音频输出。其低RDS(on)和高开关速度使其特别适合用于高保真音响系统。
　　在开关电源领域，2SK1960 可用于DC-DC转换器、同步整流器以及电源管理模块，帮助提升转换效率并减少发热。
　　此外，该器件也广泛应用于电机控制、LED驱动器和工业自动化设备中的功率控制电路。
　　由于其优异的热稳定性和高可靠性，2SK1960 也常见于车载电子系统和便携式电源设备中。