2SK1960 是一款由东芝(Toshiba)公司制造的N沟道增强型功率MOSFET,常用于音频功率放大器和开关电源等高频率应用中。该器件具有低导通电阻、高电流容量和优异的高频特性,适用于需要高效能和稳定性的电子系统。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS):60V
最大栅源电压(VGS):±20V
最大漏极电流(ID):15A(连续)
导通电阻(RDS(on)):约0.042Ω(典型值,VGS=10V)
功率耗散(PD):150W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装形式:TO-220AB
2SK1960 具有多个关键特性,使其在音频放大器和其他高频功率应用中表现卓越。
首先,该MOSFET的低导通电阻(RDS(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率,同时减少发热,延长器件寿命。
其次,2SK1960 支持高达15A的连续漏极电流,具备较强的电流驱动能力,适用于高功率输出设计。
此外,该器件采用TO-220AB封装,具有良好的散热性能,适合在高功率密度环境中使用。其封装也便于安装散热片,进一步提升热管理能力。
2SK1960 还具备较高的开关速度,适用于高频开关应用,如DC-DC转换器、PWM控制电路和D类音频放大器。
最后,其栅极驱动电压范围宽广(±20V),兼容多种驱动电路设计,提高了应用的灵活性。
2SK1960 主要用于以下几类电子系统和设备中:
在音频功率放大器中,2SK1960 常用于D类放大器的输出级,提供高效能和低失真的音频输出。其低RDS(on)和高开关速度使其特别适合用于高保真音响系统。
在开关电源领域,2SK1960 可用于DC-DC转换器、同步整流器以及电源管理模块,帮助提升转换效率并减少发热。
此外,该器件也广泛应用于电机控制、LED驱动器和工业自动化设备中的功率控制电路。
由于其优异的热稳定性和高可靠性,2SK1960 也常见于车载电子系统和便携式电源设备中。
2SK2140, 2SK1616, IRFZ44N