时间：2025/9/3 0:27:31
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MCM67M618FN10 是一款由Motorola（现为NXP Semiconductors）生产的高性能动态随机存取存储器（DRAM）芯片，属于快速页面模式DRAM（FPMDRAM）系列。该器件广泛应用于需要高速存储和数据缓冲的电子设备中，例如工业控制、通信设备和嵌入式系统。这款DRAM芯片采用了CMOS技术，提供高可靠性和低功耗特性。
容量：64Mbit
组织结构：1M x 64位
电源电压：5V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：100引脚TQFP
访问时间：10ns
刷新周期：64ms
数据保持电压：2V
最大工作频率：100MHz
MCM67M618FN10具有多项显著的技术特性，使其适用于多种高性能应用环境。其64Mbit的存储容量支持大容量数据存储，适用于需要高带宽内存的系统。10ns的访问时间确保了高速数据读写能力，提升了系统的整体性能。100MHz的最大工作频率进一步增强了其在高频应用中的稳定性。
该芯片采用低功耗CMOS工艺制造，在5V电源下运行，同时在数据保持模式下可降低至2V，从而在低功耗状态下仍能保持数据完整性。此外，-40°C至+85°C的宽工作温度范围使其能够在极端环境条件下稳定运行，适用于工业级和车载应用。
封装形式为100引脚TQFP，提供了良好的散热性能和空间节省，适合紧凑型电路设计。其64ms的刷新周期确保了数据在不频繁刷新的情况下仍能保持稳定，降低了系统复杂性和功耗。
MCM67M618FN10广泛应用于多个领域，包括但不限于工业控制设备、通信基础设施（如路由器和交换机）、嵌入式系统（如医疗设备和测试仪器）、视频处理设备以及高性能计算模块。其高速、低功耗和宽温度范围的特性使其成为恶劣环境下的理想选择。
MCM67M618FN10的替代型号包括MCM67M618FN12（访问时间12ns）以及Micron的MT48LC1M64A2B4-10A（类似规格DRAM芯片）。
