时间：2025/9/12 16:40:35
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KF13N50P 是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、开关电源（SMPS）以及其他需要高效能开关的场合。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性，适用于中高功率应用场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：500V
栅源电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）：13A
脉冲漏极电流（Idm）：52A
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.48Ω
功率耗散（Pd）：100W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220
KF13N50P MOSFET具有低导通电阻，有助于减少导通损耗并提高系统效率。其高耐压能力（500V）使其适用于多种高压应用。该器件具备良好的热稳定性，能够在较高温度下稳定工作，提高了系统的可靠性。此外，KF13N50P采用TO-220封装，便于散热和安装，适用于各种功率电子设备的设计。
该MOSFET还具有快速开关特性，适用于高频开关应用，能够有效减少开关损耗并提高系统响应速度。其栅极驱动特性较为稳定，兼容常见的MOSFET驱动电路，便于在实际应用中集成。KF13N50P还具备较高的短时过载承受能力，适合用于需要一定容错能力的电源系统中。
在可靠性方面，KF13N50P经过严格的工艺控制和质量检测，确保了在各种工作条件下的稳定性和寿命。其封装材料具有良好的绝缘性能和机械强度，能够有效防止电气短路和机械损坏。
KF13N50P常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、LED驱动器、UPS系统、电池管理系统（BMS）、逆变器以及工业自动化设备中的功率控制部分。此外，该器件也适用于家电、通信设备和汽车电子中的电源管理模块。
13N50C, FQP13N50C, IRF740A, STP12N50U
