V1R8C0201C0G500NAT 是一款高性能的钽电容器,属于 C 系列。该系列电容器以其高可靠性、低等效串联电阻 (ESR) 和稳定的电气性能而著称,适用于各种工业和消费类电子设备中的滤波、耦合和平滑应用。这款电容器采用了固体电解质技术,具有出色的频率特性和温度稳定性。
容量:2.2μF
额定电压:8V
封装类型:chip
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
尺寸:3216(英寸)
耐焊性:良好
ESR(等效串联电阻):0.1Ω 最大值
DF(耗散因数):小于 1%
绝缘电阻:大于 10MΩ
V1R8C0201C0G500NAT 使用了先进的制造工艺,确保其在高频条件下仍能保持较低的阻抗,从而有效减少纹波还具有非常长的使用寿命,即使在恶劣的工作环境下也能保持稳定的性能。
该型号具备以下优势:
1. 超低 ESR,适合高频电路设计。
2. 温度特性稳定,在宽温范围内表现优异。
3. 小型化设计,节省 PCB 空间。
4. 高可靠性,满足严苛环境下的应用需求。
5. 具备良好的机械强度,能够承受焊接过程中的热冲击。
这款电容器广泛应用于需要高稳定性和低噪音的场景中,例如:
1. 电源管理模块中的输出滤波器。
2. 模拟和数字电路中的退耦电容。
3. 音频放大器中的信号耦合。
4. LED 驱动器中的平滑电路。
5. 医疗设备、通信设备及汽车电子系统中的关键电路部分。
V1R8C0201C0G500NAT 的高性能使其成为众多精密电子应用的理想选择。
V1R8C0201C0G300NAT
V1R8C0201C0G400NAT
V1R8C0201C0G600NAT