电流传输比（CTR）：50%至600%（取决于型号后缀）
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　输入正向电流（IF）：60mA
　　最大功耗（PD）：100mW
　　工作温度范围：-55°C至+125°C
　　隔离电压（VIORM）：5300Vrms
　　响应时间（Ton/Toff）：3μs/3μs

MOCD207MNL具备多种优异的电气和物理特性，确保其在复杂工业环境中的稳定运行。首先，其高隔离电压（高达5300Vrms）可有效隔离输入与输出电路，防止高压对低压电路造成干扰或损坏，适用于高电压隔离需求的应用。其次，器件的电流传输比（CTR）范围宽泛，允许用户根据具体设计需求选择合适的工作点，从而优化电路性能。
　　该光耦的响应时间较短，导通和关断时间均为3μs，适合中高速信号传输应用，如变频器控制、电机驱动、PLC系统等。此外，MOCD207MNL采用DIP-8封装，便于安装在标准PCB上，且具有良好的抗干扰能力和热稳定性，可在宽温度范围内（-55°C至+125°C）正常工作。
　　MOCD207MNL还具备低输入驱动需求，仅需较低的正向电流即可驱动LED，有助于降低功耗并提高系统效率。其光电晶体管输出端具有较高的集电极-发射极击穿电压（VCEO=30V），可承受较大的电压应力，适用于开关电源、继电器驱动和工业自动化控制等场景。

MOCD207MNL广泛应用于需要电气隔离和信号传输的各类电子系统中。常见的应用包括工业控制系统中的PLC输入/输出隔离、变频器和伺服驱动器的信号隔离、开关电源中的反馈信号传输、继电器和固态继电器（SSR）的控制电路、仪表测量设备以及家电控制系统等。
　　在电机控制和电力电子系统中，MOCD207MNL用于隔离控制电路与高压功率电路，确保控制端的安全和稳定。在电源管理领域，该器件可用于反馈回路中，实现输出电压或电流的隔离采样，提升电源的稳定性和安全性。此外，MOCD207MNL也适用于通信设备中的隔离接口设计，防止地电位差造成的信号干扰和设备损坏。

TLP521-4、PC817、HCPL-2630、EL357