时间：2025/6/28 14:12:37
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502R29N151JV3E-****-SC是一款高性能的MOSFET功率晶体管，采用先进的制造工艺，适用于高效率、高频开关应用。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著降低功率损耗并提高系统效率。其封装形式为表面贴装类型，便于自动化生产，广泛应用于电源管理、电机驱动以及通信设备等领域。
这款MOSFET属于N沟道增强型，支持高电压操作，并且具备优秀的热性能表现，使其在高负载条件下仍能保持稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：150V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：29A
导通电阻(Rds(on))：2.6mΩ（典型值，Vgs=10V）
总功耗(Ptot)：170W
工作温度范围(Tj)：-55℃至+175℃
封装形式：SC
502R29N151JV3E-****-SC的主要特点是其超低的导通电阻和高效的开关性能。通过优化的芯片设计，该器件能够在高频条件下实现更低的开关损耗和更少的电磁干扰(EMI)。此外，它的热阻较低，能够更好地散发热量，从而提升系统的可靠性。
该产品还具有出色的雪崩能力(Avalanche Capability)，可以在异常条件下保护电路免受损坏。同时，内置的反向恢复二极管进一步增强了其在同步整流和续流二极管应用中的表现。
由于采用了表面贴装技术(SMT)，它不仅节省了PCB空间，而且简化了装配流程，降低了生产成本。
该MOSFET适合多种工业和消费类电子产品的应用场景，包括但不限于：
- 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件
- DC-DC转换器的核心功率开关
- 电动工具及家用电器的电机驱动控制
- 新能源领域中的逆变器和光伏组件控制器
- 汽车电子系统中的负载开关和电池管理单元(BMS)
凭借其优异的电气特性和机械稳定性，502R29N151JV3E-****-SC成为需要高效、可靠功率处理的理想选择。
502R29N150GV4E-****-SC, IRF2907ZPBF, FDP17N15E
