时间：2025/9/15 21:51:39
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ABA-54563-TR2G 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款射频放大器（RF Amplifier），主要用于无线通信系统中的射频信号放大。该器件采用硅锗（SiGe）技术制造，具有高线性度和低噪声特性，适合用于要求高性能和稳定性的射频前端应用。ABA-54563-TR2G 采用小型表面贴装封装（SOT-89），适用于多种高频应用。
频率范围：1.8 GHz - 2.2 GHz
增益：17.5 dB @ 2.0 GHz
输出IP3：35.5 dBm @ 2.0 GHz
噪声系数：1.8 dB @ 2.0 GHz
工作电压：3.3 V 至 5.5 V
工作电流：65 mA @ 5.0 V
封装类型：SOT-89
ABA-54563-TR2G 的主要特点之一是其在 1.8 GHz 至 2.2 GHz 频率范围内提供高线性度和低噪声性能。该器件的增益在 2.0 GHz 下为 17.5 dB，输出三阶交调截点（IP3）高达 35.5 dBm，使其非常适合用于需要高动态范围的射频接收器和发射器前端。此外，该放大器的噪声系数仅为 1.8 dB，有助于提高系统的整体信噪比。
ABA-54563-TR2G 支持宽电源电压范围（3.3 V 至 5.5 V），使其适用于多种电源设计环境。在 5.0 V 电源电压下，其典型工作电流为 65 mA，功耗较低，适用于对功耗敏感的应用。此外，该器件的 SOT-89 封装形式便于 PCB 布局和自动化生产，提高了其在大批量应用中的实用性。
该射频放大器还具备良好的温度稳定性和可靠性，能够在工业级温度范围内正常工作，适合用于基站、无线接入点、微波通信设备和测试仪器等应用场景。其高线性度特性使其在多载波系统中表现出色，能够有效减少信号失真，提高系统整体性能。
ABA-54563-TR2G 主要用于无线通信系统中的射频信号放大，包括但不限于 4G LTE 基站、WiMAX 系统、无线回传设备、无线接入点（AP）和测试测量设备。其高线性度和低噪声特性使其特别适合用于需要高性能射频前端的接收器和发射器模块。此外，该器件也适用于卫星通信、雷达系统和工业自动化设备等需要稳定射频放大的应用场景。
HMC414MS16, MAX2640, ADRF5545A
