容量：16K x 4位
　　组织方式：16K地址，每个地址4位数据
　　电压：5V供电
　　访问时间：最大为55ns（速度等级为-55）
　　封装类型：28引脚SOIC
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　数据保持电流：10μA（典型值）
　　读取电流：100mA（典型值）

MCM6726CWJ6是一款高性能的SRAM芯片，其核心优势在于其高速访问能力和低功耗设计。该芯片的访问时间仅为55ns，使其适用于对响应时间有严格要求的应用场景，如实时控制系统和通信设备。此外，MCM6726CWJ6采用了先进的CMOS工艺，确保了在低功耗状态下的数据保持能力，非常适合用于电池供电设备或需要长时间运行的系统。该芯片的待机电流仅为10μA，极大地延长了设备的续航能力。其28引脚SOIC封装设计也便于在PCB上进行安装和布局，提高了系统的稳定性和可靠性。
　　在可靠性方面，MCM6726CWJ6的工作温度范围为-40°C至+85°C，能够适应各种恶劣的工作环境，包括工业控制、汽车电子和户外通信设备。摩托罗拉以其严格的制造标准确保了该芯片在长期运行中的稳定性，同时其CMOS结构也提供了良好的抗干扰能力，降低了数据错误的风险。

MCM6726CWJ6广泛应用于需要高速、低功耗存储解决方案的嵌入式系统中。其典型应用包括工业自动化控制设备、便携式测量仪器、通信模块（如调制解调器和路由器）、智能卡读写器以及医疗监测设备。由于其非易失性数据保持功能，该芯片也常用于需要临时存储关键数据的场景，例如数据采集系统和实时控制应用。在汽车电子领域，MCM6726CWJ6可用于车载信息娱乐系统和车载诊断模块。此外，其高速访问特性使其成为高速缓存、数据缓冲器以及需要频繁读写操作的微控制器系统中的理想选择。

MCM6726CWJ6可被替代的型号包括MCM6726CWJ6A、MCM6726CWJ6B以及IS61C256AH-55H。对于需要更低功耗或更高速度的应用，也可以考虑使用ISSI的IS61C256AH-55H或Microchip的23A640等替代方案。在某些应用中，也可以使用具有相似引脚排列的16K x 4 SRAM芯片作为替代，例如IDT7163S15J或CY62148E。