容量：8Mbit
　　组织结构：512K x 16
　　访问时间：55ns
　　工作电压：2.3V 至 3.6V
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　最大工作频率：约18MHz
　　功耗：典型值为120mA（待机模式下为10mA）

HY62V8400ALLT2-55I 是一款高性能的异步SRAM，具备高速访问能力和宽电压工作范围。其55ns的访问时间使其适用于需要快速数据处理的系统。该芯片支持异步操作，这意味着它可以与多种控制器和处理器兼容，无需严格的时序同步要求。此外，该SRAM具有低待机电流，有助于在不需要数据存取时降低系统功耗，提高能源效率。其TSOP封装设计不仅节省空间，而且适用于表面贴装工艺，提高了PCB布局的灵活性。
　　这款SRAM在设计上采用了先进的CMOS工艺，确保了数据存储的稳定性，并降低了漏电流的风险。它具备良好的抗干扰能力和长期工作的可靠性，适合用于高要求的工业环境。HY62V8400ALLT2-55I 还支持多种数据总线宽度配置，使其在嵌入式系统、工业控制设备和通信模块中具有广泛的应用潜力。

HY62V8400ALLT2-55I 主要用于需要高速数据缓存和临时存储的电子系统中。典型应用包括工业自动化控制器、网络交换设备、通信基站模块、测试与测量仪器以及嵌入式系统中的缓冲存储器。由于其工业级温度范围和稳定的工作性能，该芯片也被广泛应用于需要长期可靠运行的工业和通信设备中。此外，该SRAM也可作为微控制器或数字信号处理器（DSP）的外部存储器，用于存储临时数据或程序变量。

ISSI IS62LV256AL-55TLI, Cypress CY62148EVLL-55ZSXI, Renesas IDT71V416SA-55BQGI