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MCH6618-TL-E 发布时间 时间:2025/9/21 0:45:48 查看 阅读:6

MCH6618-TL-E是一款由ONSEMI(安森美)生产的高效率、同步整流降压直流-直流转换器,采用紧凑型封装设计,适用于需要高效电源管理解决方案的多种便携式和嵌入式应用。该器件集成了高压侧和低压侧功率MOSFET,能够提供高达3A的持续输出电流,具备出色的热性能和负载调整能力。其工作输入电压范围宽,通常支持4.5V至18V的输入电压,使其适用于单节或多节锂电池供电系统以及工业和消费类电子设备中的中间电源轨。MCH6618-TL-E通过使用恒定导通时间(COT)控制架构,实现了快速瞬态响应和极低的输出电压纹波,无需外部补偿元件即可保持环路稳定性,从而简化了电路设计并减少了外部元器件数量。
  MCH6618-TL-E采用DFN-10或类似的小型化封装,具有良好的散热性能,适合空间受限的应用场景。该芯片还集成了多种保护功能,包括过流保护(OCP)、过温保护(OTP)、欠压锁定(UVLO)和输出过压保护(OVP),确保系统在异常条件下安全运行。此外,器件支持可调节输出电压模式,可通过外部电阻分压网络设定从0.8V到接近输入电压的任意输出电压值,灵活性高。由于其高集成度、高效率和小尺寸特性,MCH6618-TL-E广泛应用于机顶盒、网络设备、智能家居控制器、工业传感器及便携式医疗设备等领域。

参数

型号:MCH6618-TL-E
  制造商:ONSEMI
  产品类别:DC-DC降压转换器
  拓扑结构:同步整流降压(Buck)
  最大输出电流:3A
  输入电压范围:4.5V ~ 18V
  输出电压范围:0.8V ~ 输入电压
  开关频率:典型值500kHz
  控制方式:恒定导通时间(COT)
  工作温度范围:-40°C ~ +125°C(Tj)
  封装类型:DFN-10(3mm x 3mm)
  集成MOSFET:是(上下管均集成)
  静态电流:典型值45μA
  关断电流:小于1μA
  反馈参考电压:0.8V ±1%
  保护功能:过流保护、过温保护、欠压锁定、过压保护

特性

MCH6618-TL-E采用恒定导通时间(COT)控制架构,这种控制方式显著提升了动态响应性能,尤其在负载突变时能迅速调整占空比,有效抑制输出电压波动,保证系统稳定运行。COT架构无需传统电压模式控制所需的复杂环路补偿网络,用户仅需选择合适的输出电容即可实现稳定工作,极大简化了电源设计流程,降低了开发难度与BOM成本。同时,该控制机制能够在轻载条件下自动进入节能模式,提升整体能效表现,特别适合对功耗敏感的应用场景。
  该器件内置高性能N沟道功率MOSFET,上管和下管均集成于芯片内部,减少了外围元件数量和PCB布局复杂性。集成的MOSFET具有低导通电阻(Rdson),有助于降低传导损耗,提高转换效率,尤其是在大电流输出条件下仍能维持较低温升。结合优化的封装散热设计,即使在高温环境下也能可靠工作。
  MCH6618-TL-E具备完善的保护机制,涵盖逐周期限流、打嗝模式过流保护、热关断和输入欠压锁定等功能。当发生过流或短路故障时,芯片会自动限制输出电流,并在温度过高时触发热关断,防止器件损坏。故障排除后可自动恢复或通过使能信号重启,增强了系统的鲁棒性和安全性。
  此外,该芯片支持可编程软启动功能,可通过外接电容设定启动时间,避免启动过程中产生过大浪涌电流,保护输入电源和负载电路。其高开关频率(典型500kHz)允许使用小型电感和陶瓷电容,进一步缩小整体电源方案尺寸,满足现代电子产品对小型化和高密度布局的需求。

应用

MCH6618-TL-E因其高效率、小尺寸和高集成度,广泛应用于多种中低功率直流电源系统中。在家庭娱乐设备如机顶盒、流媒体播放器和智能电视中,常用于为SoC、内存和外围接口提供稳定的内核电压和I/O电压。在网络通信设备如路由器、交换机和IP摄像头中,它可作为主电源或辅助电源模块,将12V或5V母线电压转换为3.3V、2.5V或1.8V等所需电压等级,支持PoE供电系统的中间电源转换。
  在工业自动化领域,该芯片适用于PLC模块、传感器节点、HMI面板和远程IO单元,其宽输入电压范围和高可靠性满足工业环境下的严苛要求。对于便携式医疗设备如血糖仪、手持超声仪和健康监测终端,MCH6618-TL-E的低静态电流和高效率有助于延长电池续航时间。
  此外,在智能家居控制系统(如智能门锁、温控器、照明控制模块)和物联网网关设备中,该器件为MCU、无线模块(Wi-Fi、Zigbee、BLE)和传感器供电提供了紧凑而高效的电源解决方案。其良好的瞬态响应能力也使其适用于数字信号处理器(DSP)和FPGA等对电源噪声敏感的负载应用。

替代型号

NCP6366

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