容量：64GB（8GB x 8）
　　数据速率：3200Mbps
　　电压：1.1V
　　封装类型：BGA
　　引脚数：153
　　工作温度范围：0°C至+85°C
　　接口类型：JEDEC标准DDR4接口
　　时钟频率：1600MHz
　　CL（CAS Latency）：22
　　tRC（Row Cycle Time）：48ns

M72DW64000B70ZE具备低功耗设计，采用1.1V的工作电压，相较于标准DDR4内存能够显著降低能耗，适用于对电池续航有高要求的设备。该芯片支持温度补偿自刷新（Temperature Compensated Self-Refresh, TCSR）功能，可在不同温度条件下优化数据保持能力，减少刷新频率，从而进一步降低功耗。此外，该型号还具备伪开漏（Pseudo Open Drain, POD）驱动器技术，提升了信号完整性，减少了信号干扰，提高了系统的稳定性。
　　该芯片还支持多种低功耗模式，如预充电功率下降模式（Precharge Power-Down Mode）、自刷新模式（Self-Refresh Mode）等，使设备在空闲或待机状态下能够有效节省电能。M72DW64000B70ZE具备较高的数据传输速率和较低的延迟，能够满足高性能计算和实时数据处理的需求。其BGA封装形式不仅节省空间，还提高了封装密度，适合在空间受限的移动设备和嵌入式系统中使用。

M72DW64000B70ZE广泛应用于需要高性能和低功耗内存的设备中，包括智能手机、平板电脑、超薄笔记本电脑、嵌入式系统、工业控制设备以及网络通信设备。其高带宽和低功耗特性使其特别适合用于处理复杂图形、多媒体和大数据运算的应用场景，如移动游戏、高清视频播放、人工智能推理等。此外，在物联网（IoT）设备和边缘计算设备中，该芯片也能够提供稳定的内存支持，确保设备在低功耗运行的同时保持良好的性能表现。

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