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MCH6422-TL-E 发布时间 时间:2025/9/21 8:41:44 查看 阅读:16

MCH6422-TL-E是一款由Monolithic Power Systems (MPS) 生产的高效率、同步降压直流-直流转换器,采用紧凑型封装设计,适用于需要高效电源管理解决方案的各种便携式设备和低功耗系统。该器件集成了高压侧和低压侧功率MOSFET,能够在宽输入电压范围内工作,提供稳定的输出电压。MCH6422-TL-E专为电池供电设备优化,具备轻载条件下的高效率表现,同时在待机或空载状态下具有极低的静态电流,有助于延长电池寿命。该芯片支持可调节的输出电压设置,通过外部电阻分压器实现灵活配置,满足不同负载需求。其内置保护功能包括过流保护、过温保护以及输出短路保护,确保系统在异常条件下安全运行。此外,MCH6422-TL-E采用恒定导通时间(COT)控制架构,实现了快速瞬态响应和出色的线路与负载调节能力,适合对动态性能要求较高的应用场合。

参数

型号:MCH6422-TL-E
  制造商:Monolithic Power Systems (MPS)
  产品类型:同步降压DC-DC转换器
  输入电压范围:4.5V 至 18V
  输出电压范围:0.8V 至 5.5V(可调)
  最大输出电流:2A
  开关频率:典型值500kHz
  工作效率:高达95%
  控制模式:恒定导通时间(COT)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C(TJ)
  封装类型:QFN-10(3mm x 3mm)
  静态电流:典型值30μA(关断模式下更低)
  保护功能:过流保护、过温保护、输出短路保护
  引脚数量:10
  安装类型:表面贴装(SMD)

特性

MCH6422-TL-E采用恒定导通时间(COT)控制架构,这种控制方式无需复杂的环路补偿设计即可实现快速瞬态响应,特别适用于负载变化频繁的应用场景。当负载发生突变时,COT控制器能够迅速调整开关周期,维持输出电压稳定,从而显著提升系统的动态性能。该芯片内部集成的高压侧和低压侧MOSFET经过优化设计,在全负载范围内均能保持高效率,尤其是在轻载条件下仍可实现高于85%的转换效率,有效降低功耗并减少散热需求。其自适应死区时间控制机制进一步减少了体二极管导通损耗,提升了整体能效。
  MCH6422-TL-E具备多种保护机制以增强系统可靠性。当检测到输出短路或过流情况时,芯片会自动进入打嗝模式(hiccup mode),周期性地尝试重启,防止持续大电流损坏器件或外围电路。过温保护功能会在结温超过安全阈值时关闭输出,待温度下降后自动恢复运行,避免热失控风险。此外,芯片还具备输入欠压锁定(UVLO)功能,确保在输入电压不足时不启动,防止不稳定工作状态。
  该器件采用小型QFN-10(3mm x 3mm)封装,占用PCB面积小,适合空间受限的便携式电子产品设计。其引脚布局经过优化,便于布板和散热管理。MCH6422-TL-E支持陶瓷输出电容,减小了外部元件体积,同时提高了频率响应特性。通过外部反馈电阻网络,用户可轻松设定所需的输出电压,适应多种应用场景。芯片在整个工作温度范围内具有良好的输出电压精度,典型值为±1%,保证了电源系统的稳定性与可靠性。

应用

MCH6422-TL-E广泛应用于各类中低功率嵌入式系统和便携式电子设备中,作为主电源或辅助电源模块的核心组件。它适用于工业自动化控制系统中的传感器供电、PLC模块电源、HMI人机界面设备等场景,能够在较宽的输入电压波动下提供稳定的直流输出。在消费类电子产品领域,如智能家居网关、无线路由器、机顶盒、便携式医疗设备和个人护理仪器中,该芯片因其高效率和小尺寸特点而备受青睐。
  由于其支持高达18V的输入电压,MCH6422-TL-E也可用于由12V总线供电的通信设备和网络设备中,例如PoE(Power over Ethernet)终端设备的后级稳压电源。在汽车电子系统中,尽管其并非AEC-Q100认证器件,但仍可用于非关键车载配件的电源设计,如车载摄像头、信息娱乐系统子模块或USB充电模块等。
  此外,该芯片非常适合用于FPGA、ASIC、DSP等数字处理器件的核电压或I/O电压供电方案,尤其是对电源纹波和瞬态响应有较高要求的设计。其低噪声特性和良好的负载调节能力使其成为精密模拟前端(AFE)、数据采集系统和高速ADC/DAC参考电源的理想选择。教育类开发板和原型验证平台也常采用MCH6422-TL-E作为标准电源解决方案,因其易于使用且性能可靠。

替代型号

MP2315DJ-LF-Z
  TPS54202
  RT7297CHGSP

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MCH6422-TL-E参数

  • 典型关断延迟时间40 ns
  • 典型接通延迟时间11 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs4.2 nC V @ 4
  • 典型输入电容值@Vds325 pF V @ 20
  • 安装类型表面贴装
  • 宽度1.6mm
  • 封装类型MCPH 6
  • 尺寸2 x 1.6 x 0.85mm
  • 引脚数目6
  • 最大功率耗散1.5 W
  • 最大栅源电压±10 V
  • 最大漏源电压60 V
  • 最大漏源电阻值270 m
  • 最大连续漏极电流2 A
  • 最高工作温度+150 °C
  • 每片芯片元件数目1
  • 类别通用
  • 通道模式增强
  • 通道类型N
  • 配置四漏极、单
  • 长度2mm
  • 高度0.85mm