类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：50 V
　　连续漏极电流（Id）：1.6 A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：4.5 A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.18 Ω @ Vgs=10V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.22 Ω @ Vgs=4.5V
　　栅源阈值电压（Vgs(th)）：1.0 V ~ 2.2 V
　　栅极电荷（Qg）：6.5 nC @ Vgs=10V
　　输入电容（Ciss）：270 pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：不适用（无体二极管恢复问题）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

BFQ131的核心优势在于其优化的沟槽栅MOSFET结构，这种结构通过在硅片上刻蚀深槽并形成栅极来增加单位面积内的沟道宽度，从而显著降低导通电阻（Rds(on)）。这使得在相同尺寸下，BFQ131相比传统平面工艺MOSFET具有更低的导通损耗，尤其在大电流持续导通状态下表现突出。该器件在Vgs=10V时的典型Rds(on)仅为0.18Ω，而在4.5V驱动条件下也能保持0.22Ω的低阻值，表明其具备良好的低压驱动兼容性，适用于由逻辑电平信号直接驱动的应用场景，例如由微控制器GPIO引脚或DC-DC控制器输出端直接控制。
　　另一个关键特性是其出色的开关性能。BFQ131具有较低的栅极电荷（Qg=6.5nC），这意味着在每次开关过程中所需的驱动能量较少，从而降低了驱动电路的设计复杂度并减少了动态功耗。结合仅270pF的输入电容（Ciss），该器件能够实现快速的开关响应，适用于高达数百kHz甚至MHz级别的高频切换环境。这对于提高开关电源的工作频率、缩小外围电感和电容体积至关重要，有助于实现更高功率密度的电源设计。
　　热稳定性方面，BFQ131的最大结温可达+150°C，允许其在高温环境中长期稳定运行。其热阻（RthJC）较低，配合良好的PCB布局（如大面积敷铜散热），可有效将内部热量传导至外部环境，防止因温升过高而导致性能下降或失效。此外，该器件具备良好的雪崩耐量和ESD防护能力，增强了在异常工况下的鲁棒性。总体而言，BFQ131凭借其低Rds(on)、快速开关、小型封装和高可靠性，成为众多高性能电源系统中不可或缺的关键组件。

BFQ131广泛用于各类低电压、中等电流的开关电源系统中，尤其是在空间受限但对效率要求较高的便携式设备电源管理单元中发挥重要作用。常见应用场景包括同步整流型DC-DC降压变换器（Buck Converter）中的下管开关，利用其低导通电阻减少续流过程中的能量损耗，提升转换效率。在电池供电系统中，它可用于负载开关电路，实现对不同功能模块的上电/断电控制，以延长待机时间。此外，该器件也常用于LED驱动电路中作为恒流调节开关，通过PWM调光方式精确控制亮度输出。
　　在电机驱动领域，BFQ131可用于微型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中作为低端开关，配合高端P沟道或N沟道MOSFET实现方向和速度控制。由于其具备较快的开关速度和较低的交叉导通风险，有助于减少电机驱动中的功耗和发热问题。在热插拔电路和USB电源开关中，BFQ131同样表现出色，能够有效限制浪涌电流并在故障发生时迅速切断负载，保护主电源系统不受影响。
　　此外，该器件还可用于隔离式电源的次级侧同步整流应用，替代传统的肖特基二极管，大幅降低正向压降和导通损耗，从而提升整体能效。在多路电源分配系统中，多个BFQ131可并联使用，以支持更大电流输出需求，同时保持良好的均流特性。总之，凡是在低电压、高频、高效率开关控制中有需求的场合，BFQ131都是一种可靠且高效的解决方案。

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　　 "BSS138",
　　 "2N7002",
　　 "AO3400",
　　 "SI2302",
　　 "FDS6670A"
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