时间：2025/6/22 2:04:51
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RS1G175XH6 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等场景。该器件采用先进的沟槽式工艺制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，从而优化了效率和热性能。
该芯片属于 N 沟道增强型 MOSFET，支持高电流负载和高频开关应用，同时具备出色的耐用性和可靠性。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：120A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：85nC
开关时间：开通延迟时间 9ns，关断传播时间 12ns
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
RS1G175XH6 的主要特点是其超低的导通电阻 (Rds(on)) 和高效率表现。通过采用最新的半导体技术，该器件能够在高电流条件下保持较低的功耗和热量生成。
此外，其快速开关能力使得它非常适合高频应用环境。在设计上，RS1G175XH6 具备强大的短路耐受能力和过温保护功能，增强了系统的整体稳定性和安全性。
其他重要特性包括低输入电容和优异的雪崩能量处理能力，这些都进一步提升了其在恶劣条件下的可靠性能。
这款 MOSFET 广泛适用于各种功率转换和控制场合，例如：
- 开关电源 (SMPS)
- 电机驱动和逆变器
- DC-DC 转换器
- OR-ing 二极管替代方案
- 太阳能微逆变器
- 工业自动化设备中的功率管理模块
由于其卓越的性能，RS1G175XH6 成为许多高效率、紧凑型设计的理想选择。
RS1G175XH5, IRF1756, STP120N6LL
