时间:2025/12/28 10:14:04
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MCH6307-TL是一款由Magnachip公司生产的高性能、低功耗的PMOS场效应晶体管(P-Channel MOSFET),广泛应用于便携式电子设备和电源管理电路中。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术制造,能够在较小的封装内实现优异的导通电阻和开关性能,适用于需要高效能与高集成度的设计场景。MCH6307-TL采用SOT-723小型化封装,具有极小的占板面积,适合空间受限的应用,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及其他消费类电子产品中的负载开关、电源切换和电池管理等应用。其额定电压为-30V,最大持续漏极电流可达-1.8A,具备良好的热稳定性和可靠性,能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。此外,该器件符合RoHS环保标准,不含铅和有害物质,支持无铅焊接工艺,适应现代绿色电子产品制造的需求。由于其优良的电气特性与紧凑的封装设计,MCH6307-TL成为众多低电压、低功耗系统中理想的功率开关选择。
型号:MCH6307-TL
类型:P-Channel MOSFET
封装:SOT-723
通道数:单通道
漏源电压(VDSS):-30V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):-1.8A
脉冲漏极电流(IDM):-3.6A
导通电阻(RDS(on)):35mΩ @ VGS = -10V
导通电阻(RDS(on)):45mΩ @ VGS = -4.5V
阈值电压(Vth):-1.0V ~ -2.0V
输入电容(Ciss):330pF @ VDS=15V
输出电容(Coss):170pF @ VDS=15V
反向传输电容(Crss):40pF @ VDS=15V
工作结温范围(Tj):-55°C ~ +150°C
存储温度范围(Tstg):-55°C ~ +150°C
功耗(Pd):300mW
MCH6307-TL采用先进的沟槽型MOSFET结构,在保证高可靠性的前提下实现了极低的导通电阻,显著降低了在导通状态下的功率损耗,从而提升了系统的整体效率。其RDS(on)在VGS = -10V时仅为35mΩ,在VGS = -4.5V时也仅为45mΩ,表明该器件在低栅极驱动电压条件下仍能保持优异的导通能力,适用于3.3V或5V逻辑控制的电源管理系统。这种低导通电阻特性使其非常适合用于电池供电设备中的负载开关或反向电流阻断电路,有效减少发热并延长电池续航时间。
该器件具备快速开关响应能力,得益于较低的输入和输出电容(Ciss=330pF,Coss=170pF),能够实现高效的开关操作,减少开关过程中的能量损耗,适用于高频开关应用场合。同时,其栅极阈值电压范围为-1.0V至-2.0V,确保了在不同工作条件下的稳定开启,避免因阈值漂移导致的误动作。
MCH6307-TL的SOT-723封装不仅体积小巧,还具备良好的散热性能,可在有限的空间内提供稳定的热传导路径。该封装形式易于自动化贴装,适用于大规模表面贴装生产工艺,有助于降低生产成本并提高组装良率。此外,器件经过严格的可靠性测试,包括高温反偏、高温栅极偏置和温度循环等,确保在恶劣环境下的长期稳定性。
由于其出色的电气特性和紧凑的封装设计,MCH6307-TL特别适用于对尺寸和功耗敏感的应用领域,如移动设备中的LCD背光控制、USB端口电源管理、SIM卡接口电源切换以及各类低电压DC-DC转换器中的同步整流或开关元件。其坚固的设计和稳定的性能表现,使其成为现代便携式电子产品中不可或缺的关键元器件之一。
MCH6307-TL主要应用于各种便携式电子设备中的电源管理和功率开关电路。典型应用场景包括智能手机和平板电脑中的电池电源切换与负载开关控制,用于在不同功能模块之间安全地分配电力资源,防止不必要的待机功耗。此外,它也常用于USB接口的过流保护和电源通断控制,确保外设连接时的电气安全。在可穿戴设备如智能手表和健康监测设备中,该器件可用于主处理器或传感器模块的供电管理,实现按需上电以节省电量。
另一个重要应用是在LCD显示屏的背光电源控制中,作为背光LED的开关元件,通过PWM信号调节亮度,实现节能与视觉效果的平衡。同时,MCH6307-TL还可用于SIM卡、microSD卡等插拔式接口的电源管理,避免热插拔过程中产生的浪涌电流损坏系统主板。
在低压DC-DC转换器电路中,它可以作为高端或低端开关使用,尤其是在同步整流拓扑中发挥重要作用,提升转换效率。此外,该器件也适用于工业手持设备、便携式医疗仪器、无线耳机充电盒等对空间和功耗有严格要求的产品中,作为核心的功率控制元件。凭借其高集成度、低功耗和高可靠性,MCH6307-TL已成为现代电子系统中实现高效电源管理的重要选择之一。
DMG2307U-7
AON7402
FDC6307P