时间：2025/8/9 18:00:25
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2SK3518-01MR 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，适用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。这款MOSFET设计用于在高频率下工作，适合用于开关电源、DC-DC转换器以及电机控制等应用。该器件采用小型SOP（Small Outline Package）封装，具有良好的热性能和电气性能。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：30V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：100mA
耗散功率（Pd）：200mW
工作温度范围：-55°C至+150°C
存储温度范围：-55°C至+150°C
2SK3518-01MR 具有低导通电阻的特点，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。其低输入电容和快速开关特性使其非常适合高频应用。
此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高温度环境下保持稳定工作。SOP封装形式不仅节省空间，还便于在PCB上安装和焊接。
由于其高可靠性和稳定性，2SK3518-01MR广泛应用于便携式电子设备、电池供电系统、信号切换电路以及各种低功率开关应用中。该器件符合RoHS环保标准，适用于对环保要求较高的电子产品设计。
2SK3518-01MR 主要用于低功率开关电路、信号控制、DC-DC转换器、负载开关、电源管理系统以及各种便携式电子设备中。它也可用于电机驱动电路、LED驱动器和电池充电电路等应用中。
2SK3518-01MR的替代型号包括2SK3518-01L和2SK3518-01M。
