时间：2025/3/25 11:46:04
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M68AW031AL70N6U 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）芯片，广泛应用于功率转换、电机驱动和电源管理等场景。该型号属于增强型 N 沟道 MOSFET，采用先进的制造工艺以实现低导通电阻和高效率。其设计适合需要高效能和低功耗的应用场合。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：31A
导通电阻：1.5mΩ
总功耗：25W
工作温度范围：-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻，可显著降低功率损耗。
2. 高速开关性能，适用于高频应用。
3. 增强的热稳定性，能够在极端温度条件下可靠运行。
4. 具备出色的抗雪崩能力和静电防护性能。
5. 小型化封装设计，节省电路板空间。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换。
2. 电机驱动器中的逆变器和控制器。
3. 电池管理系统（BMS）中的保护电路。
4. 工业自动化设备中的负载开关。
5. 汽车电子系统中的功率控制模块。
6. 通信设备中的 DC/DC 转换器。
M68AW031AL70N5U, M68AW031AL70N8U
