类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（Id）：20A
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值21mΩ（在Vgs=4.5V时）
　　功率耗散（Pd）：3.6W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOP-8

PQ1CZ21HZPH MOSFET具有多个关键特性，使其在各种功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的效率。这对于需要高能效的电池供电设备和DC-DC转换器尤为重要。
　　其次，该器件支持高达20A的连续漏极电流，并具备20V的漏源电压耐受能力，使其能够胜任中等功率级别的开关任务。栅源电压为±12V，表明其栅极驱动电压范围较宽，适用于多种驱动电路设计。
　　此外，PQ1CZ21HZPH采用SOP-8封装，这种小型封装不仅节省PCB空间，而且具备良好的热性能，能够有效散热，确保在高负载条件下稳定运行。其工作温度范围从-55°C到+150°C，适用于各种严苛环境条件下的工业级应用。
　　值得一提的是，该MOSFET具备出色的高频开关特性，支持快速开关操作，从而减少开关损耗并提高系统响应速度。这使得它非常适合用于同步整流、负载开关和马达控制等对动态性能要求较高的场合。

PQ1CZ21HZPH 主要应用于需要高效、高频开关的电力电子系统中。典型应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器和电源管理模块。在便携式电子设备中，该MOSFET可用于优化电源转换效率，延长电池续航时间。此外，其良好的高频特性也使其适用于汽车电子、工业自动化和通信设备中的功率控制电路。

PQ1CZ21HZPH的替代型号包括Rohm的PQ1CZ21EHZ和PQ1CZ21YH。这些型号在电气特性和封装形式上相似，可作为兼容替换选项。