时间：2025/9/1 8:57:58
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IS66WVC4M16ALL-7010BLI 是一颗由 ISSI（Integrated Silicon Solution Inc.）公司生产的高性能异步静态随机存取存储器（Asynchronous SRAM）芯片，容量为 4Mbit（512K x 8 或 256K x 16），采用高速CMOS工艺制造，适用于需要高速数据存取的应用场景。该芯片的工作温度范围为工业级标准（-40°C 至 +85°C），适合在工业及汽车电子环境中使用。
容量：4Mbit（512K x 8 或 256K x 16）
电压：2.3V - 3.6V
访问时间：10ns（最大）
封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装引脚数：54pin
组织方式：x8/x16
接口类型：异步（Asynchronous）
读写方式：随机存取
IS66WVC4M16ALL-7010BLI 是一款高速、低功耗的异步SRAM芯片，其主要特性包括高速访问时间（最大为10ns），可在较宽的电源电压范围（2.3V至3.6V）下工作，确保了其在不同应用环境下的稳定性与兼容性。该器件采用CMOS工艺制造，具备低功耗的特性，尤其适用于需要快速数据访问和低功耗设计的系统。其双组织结构支持x8和x16两种模式，为用户提供了灵活的接口配置选项。此外，该芯片封装形式为TSOP，体积小巧，便于在高密度电路板中布局。工业级温度范围（-40°C至+85°C）使其能够在恶劣环境中稳定运行，适用于工业控制、汽车电子、通信设备等多种应用场景。IS66WVC4M16ALL-7010BLI 还具备高可靠性，符合RoHS环保标准，可满足现代电子设备对环保与可靠性的双重要求。
该芯片广泛应用于需要高速、低功耗和高可靠性的系统中，如工业自动化控制设备、汽车电子控制系统、通信模块、网络设备、测试仪器以及嵌入式系统等。其异步接口设计使其适用于传统SRAM应用场合，同时其宽电压和宽温工作特性也使其适合于恶劣环境中的长期运行。
IS66WVH4M16ALL-7010BLI, CY7C1380C-100BZC, IDT71V416SA10PFG
