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MCC250-16I01B 发布时间 时间:2025/8/6 4:47:29 查看 阅读:29

MCC250-16I01B是一款由Microsemi(现为Microchip Technology)生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)模块,专为高功率应用设计。该器件结合了高效能与高可靠性,适用于工业、电源和电机控制等领域。MCC250-16I01B采用先进的沟槽式MOSFET技术,提供较低的导通电阻和高效的开关性能,同时具备良好的热管理和耐久性。

参数

类型:MOSFET模块
  最大漏极电流:250A
  最大漏-源电压:1600V
  导通电阻(Rds(on)):典型值为1.2mΩ
  封装类型:双列直插式封装(DIP)
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  短路耐受能力:具备
  热阻(Rth):具体值取决于散热条件

特性

MCC250-16I01B具有多项优异的性能特点。首先,其低导通电阻确保了在大电流应用中较低的功率损耗,提高了整体系统效率。其次,该器件具备较高的短路耐受能力,可以在极端条件下保护电路免受损坏,提高系统的可靠性。此外,MCC250-16I01B的封装设计优化了散热性能,使得器件能够在高温环境下稳定工作,延长使用寿命。其宽广的工作温度范围也使其适用于各种恶劣环境条件。最后,该模块的高集成度和紧凑设计有助于减少外部元件的数量,简化电路布局,降低设计复杂度。
  在实际应用中,MCC250-16I01B表现出卓越的开关性能,能够在高频条件下实现快速开关操作,减少开关损耗。这对于需要高效率和高频率运行的电源转换系统尤为重要。同时,该器件的耐用性和稳定性使其成为工业电机驱动、电源系统以及电动汽车充电设备中的理想选择。

应用

MCC250-16I01B广泛应用于多个高功率领域,包括工业电机驱动器、电源转换器、不间断电源(UPS)、电动车辆充电系统、可再生能源系统(如太阳能逆变器)以及各种需要高效能功率MOSFET模块的场合。其高可靠性和优异的性能使其成为工业自动化和电力电子领域的关键组件。

替代型号

MCC250-16IO1B, MCC250-16I02B, MCC250-16I03B

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