B9604 时间：2025/12/27 11:29:42 阅读：14

B9604是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的射频功率晶体管，专为在高频和甚高频（HF/VHF）范围内工作的高效率、高可靠性应用而设计。该器件采用先进的LDMOS（横向双扩散金属氧化物半导体）技术制造，使其在高功率放大器（HPA）中表现出色。B9604特别适用于工业、科学和医疗（ISM）频段、广播发射机、通用射频放大以及无线基础设施中的线性放大任务。该晶体管能够在指定频率范围内提供稳定的输出功率，并具备良好的热稳定性和增益特性，是现代通信系统中关键的射频放大元件之一。其封装设计优化了热传导性能，便于集成到需要强制风冷或散热片安装的系统中，确保长时间运行的可靠性。

参数

制造商：NXP Semiconductors
　　产品类型：RF Power Transistor
　　技术：LDMOS
　　工作频率范围：1.8 MHz 至 500 MHz
　　输出功率（Pout）：典型值 400 W
　　漏极电压（Vds）：50 V
　　静态漏极电流（Idq）：典型值 200 mA
　　增益：典型值 22 dB（在特定频率下）
　　输入回波损耗：典型值 -12 dB
　　输出回波损耗：典型值 -10 dB
　　封装类型：Ceramic/Metal Package (类似 SOT-537)
　　热阻（Rth j-case）：0.12 °C/W
　　工作温度范围：-65 °C 至 +200 °C（结温）
　　偏置条件：支持固定栅极偏压或自偏置配置

特性

B9604射频功率晶体管的核心优势在于其基于LDMOS工艺的高性能架构，这种结构不仅提供了优异的功率增益和效率，还增强了器件在高电压和大电流条件下的耐用性。该晶体管在1.8 MHz至500 MHz的宽频率范围内保持稳定的性能，适合用于多频段或可调谐射频放大器系统。其典型的400瓦输出功率能力使其能够胜任高功率广播应用，如AM/FM无线电发射台、短波通信设备以及工业加热系统。在增益方面，B9604通常能实现约22 dB的高增益，减少了前级驱动级的设计复杂度，提升了整体系统的集成效率。
　　B9604具备出色的热管理能力，其陶瓷-金属封装具有低热阻（0.12°C/W），有助于快速将热量从结传递到外壳，从而防止因过热导致的性能下降或器件损坏。这一特性对于持续高负载运行的应用至关重要，尤其是在空气冷却受限或环境温度较高的场景中。此外，该器件具有良好的输入和输出匹配特性，输入回波损耗可达-12 dB，输出回波损耗约为-10 dB，这降低了对外部匹配网络的依赖，简化了电路设计并提高了系统稳定性。
　　该晶体管支持多种偏置方式，包括固定栅极偏压和自偏置模式，使得其能够灵活适应不同的电源架构和控制系统。其高可靠性和长寿命使其广泛应用于对连续运行要求极高的场合，如公共安全通信、应急广播系统和海上通信平台。同时，B9604符合RoHS标准，体现了NXP在环保与可持续制造方面的承诺。通过严格的生产工艺控制和老化测试，该器件保证了批次间的一致性和长期使用的稳定性，是专业级射频功率放大的理想选择。

应用

B9604主要用于需要高功率、高效率射频放大的系统中。典型应用场景包括商业和公共广播发射机，如调幅（AM）和调频（FM）电台的末级功率放大；工业、科学和医疗（ISM）频段设备，例如射频加热、等离子体生成和医疗射频治疗装置；高功率业余无线电（HAM Radio）放大器；陆地移动无线电（LMR）基站；以及各类军用和民用通信基础设施中的宽带或窄带射频放大模块。由于其宽频率覆盖能力和高输出功率，它也常被用于测试与测量设备中的信号激励源构建。